龙路
- 作品数：11 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中南民族大学电子信息工程学院智能无线通信湖北省重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
- 掺镁氧化锌薄膜结构及其光学性质的研究被引量：13
- 2017年
- 以氧化镁(MgO)掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺镁ZnO(ZnO:Mg)薄膜样品.通过X射线衍射仪和可见-紫外光分光光度计的测试表征,研究了溅射时间对ZnO:Mg薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:ZnO:Mg薄膜的结构和性能与溅射时间密切相关.随着溅射时间的增加,ZnO:Mg薄膜(002)晶面的织构系数减小、(110)晶面的织构系数增大,对应的可见光波段的平均透过率降低.溅射时间为15 min时,ZnO:Mg薄膜样品具有最佳的(002)择优取向生长特性和最好的透光性能.同时ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度随溅射时间增加而单调增大.与未掺杂ZnO薄膜相比,所有ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度均变宽.
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- 关键词：磁控溅射氧化锌晶体结构光学性质
- 沉积温度对GZO透明导电薄膜结构和性能的影响被引量：3
- 2014年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(GZO)透明导电薄膜,研究了沉积温度对GZO薄膜的结构、光学和电学性能的影响。结果表明:所制GZO薄膜具有(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其折射率表现为正常色散特性,随着沉积温度的升高,所制薄膜的可见光区平均透过率单调增加,电阻率先减小后增大,晶粒尺寸和品质因数先增大后减小。当沉积温度为400℃时,所制GZO薄膜的晶粒尺寸最大(75.5 nm)、电阻率最低(1.27×10–3?·cm)、品质因数最高(699.2 S/cm),具有最佳的光电综合性能。
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- 关键词：沉积温度光学性能电学性能品质因数
- 钛镓合掺氧化锌半导体薄膜的制备及其性能研究被引量：2
- 2016年
- 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备钛镓合掺氧化锌(TGZO)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针和透射光谱等方法测试表征,研究了衬底温度对薄膜微观结构、晶粒生长和光电综合性能的影响。结果表明:TGZO薄膜具有高度的c轴择优取向生长特性,其微观结构和光电性能与衬底温度密切相关。当衬底温度为340℃时,TGZO薄膜具有最大的织构系数(2.963)、最大的晶粒尺寸(85.7nm)、最小的微应变(0.231)、最低的电阻率(1.87×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透射率(84.8%)和最大的品质因数(451.2Ω-1·cm-1)。其晶体质量和光电综合性能最佳。
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- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射微观结构
- Ga-Ti共掺杂ZnO透明导电薄膜的微观结构和光电性能研究被引量：3
- 2015年
- 采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了Ga-Ti共掺杂ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对GTZO薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明:所有GTZO薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能和晶体结构与氩气压强密切相关。当氩气压强为0.4Pa时,GTZO薄膜具有最大的晶粒尺寸(85.7nm)、最小的压应力(-0.231GPa)、最高的可见光区平均透射率(86.1%)、最低的电阻率(1.56×10-3Ω·cm)和最大的品质因子(4.28×105Ω-1·cm-1),其光电综合性能最佳。另外,采用光学表征方法计算了薄膜的光学能隙和折射率,并利用有效单振子理论对折射率的色散性质进行了分析,获得了GTZO薄膜的色散参数。
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- 关键词：透明导电薄膜光电性能
- 磁控溅射法制备ZnO:Ga薄膜的结晶质量及其应力研究被引量：4
- 2015年
- 以氧化锌(Zn O)掺杂氧化镓(Ga2O3)的陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了透明导电的掺镓氧化锌(Zn O:Ga)薄膜.通过X射线衍射仪测试研究了衬底温度对薄膜结晶性能及其残余应力的影响.研究结果表明:所有Zn O:Ga薄膜均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有(002)方向的择优取向特性,其结晶性能和残余应力与衬底温度密切相关.随着衬底温度的升高,薄膜的(002)择优取向程度和晶粒尺寸呈现出先增大后减小的变化趋势,而薄膜的残余压应力则单调减小.当衬底温度为400℃时,Zn O:Ga薄膜具有最大的晶粒尺寸(75.1 nm)、最大的织构系数TC(002)(2.995)、较小的压应力(-0.185 GPa)和最好的结晶性能.
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- 关键词：磁控溅射氧化锌薄膜掺杂
- 掺钛GZO透明半导体薄膜的光学性质研究被引量：1
- 2015年
- 以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响.结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的.
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- 关键词：光学常数
- 铝掺杂氧化锌薄膜的光学性能及其微结构研究被引量：9
- 2014年
- 以氧化铝(Al2O3)掺杂的氧化锌(Zn O)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上制备了具有c轴择优取向的铝掺杂氧化锌(Zn O:Al)薄膜样品.通过可见-紫外光分光光度计和X射线衍射仪的测试表征,研究了生长温度对薄膜光学性能及其微结构的影响.实验结果表明:薄膜性能和微观结构与生长温度密切相关.随着生长温度的升高,样品的可见光平均透过率、(002)择优取向程度和晶粒尺寸均呈非单调变化,生长温度为640 K的样品具有最好的透光性能和晶体质量.同时薄膜样品的折射率均表现为正常色散特性,其光学能隙随生长温度升高而单调增大.与未掺杂Zn O块材的能隙相比,所有Zn O:Al薄膜样品的直接光学能隙均变宽.
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- 关键词：磁控溅射氧化锌薄膜掺杂光学性能
- Sn掺杂In_3O_2半导体薄膜的制备及其性能研究被引量：1
- 2015年
- 采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优值因子(7.9×104Ω-1·m-1),其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙,结果表明:光学带隙随着生长速率的增大而单调减小.
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- 关键词：半导体薄膜光学性能
- 氧化铟锡TCO薄膜的制备及其结晶性能研究被引量：7
- 2016年
- 以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10^(-3))、位错密度最小(3.409×10^(14)m^(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能.
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- 关键词：氧化铟锡微结构
- 器件结构对聚合物太阳能电池内部光电强分布的影响被引量：7
- 2016年
- 针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池内部光电场分布和活性层内部光电场强度的影响.结果表明:各功能层厚度对电池内部光电场分布和活性层光电场强度具有不同程度的影响,其中活性层和电极修饰层厚度的影响较大,而阴极厚度的影响较小;引入合适厚度的电极修饰层有利于增加活性层内部的光电场强度,提高太阳能电池的能量转换效率,改善器件的光伏性能.
- 钟志有康淮陆轴龙路
- 关键词：聚合物太阳能电池
