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文献类型

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  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇铸锭
  • 2篇多晶
  • 2篇少子寿命
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇导流
  • 1篇电池
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  • 1篇电学性能
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  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇太阳能发电
  • 1篇气体
  • 1篇腔体
  • 1篇种籽

机构

  • 6篇江西赛维LD...

作者

  • 6篇程小娟
  • 5篇何亮
  • 4篇李建敏
  • 4篇胡动力
  • 3篇罗鸿志
  • 3篇雷琦
  • 3篇毛伟
  • 2篇徐云飞
  • 2篇周成
  • 1篇李松林
  • 1篇李建
  • 1篇刘海
  • 1篇陈红荣

传媒

  • 1篇中国金属通报
  • 1篇第十一届中国...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
籽晶铺设方法、铸锭单晶硅的生产方法和铸锭单晶硅
本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法,包括:提供坩埚,在所述坩埚的底部铺设籽晶层,其中,籽晶层由多个第一籽晶和多个第二籽晶间隔拼接形成,任意相邻两个所述第一籽晶之间设有一个所述第二籽晶,任意相邻两个所述第二籽晶之间设有一个...
何亮罗鸿志雷奇毛伟周成徐云飞李建敏程小娟邹贵付甘胜泉陈仙辉
文献传递
硼铟共掺高效多晶铸锭的制备
2019年
通过在铸锭中引入铟元素替代部分硼元素进行掺杂,成功的制备了掺铟多晶铸锭,且与常规铸锭在硅块电阻率分布、硅块少子少子寿命及硅片位错比例、硅片电池性能进行了对比。结果表明:通过控制合适的掺铟比例,铸锭的电阻率分布能得到有效控制,且相比常规铸锭电阻率分布更加集中;通过少子寿命仪的测试,发现掺铟铸锭整体少子寿命略高于常规铸锭;通过PL测试,发现掺铟铸锭硅片从底部至头部位错均较少;通过硅片电池数据对比,发现掺铟硅片短路电流及开路电压都相应的得到提高,硅片转换效率相比提高0.14%,推断一方面为铟元素引入应力场可阻挡位错滑移,另一方面可能为铟元素杂质光伏效应所致。
罗鸿志何亮何亮徐云飞雷琦毛伟徐云飞李建敏周成
关键词:位错
无黑边缺陷的多晶硅片技术开发及其产业化
胡动力何亮雷琦陈红荣李建敏钟德京张学日毛伟罗鸿志程小娟刘海
该项目所属领域为光伏科学技术领域,主要是光伏多晶硅片的制造和加工领域。 近年来,太阳能发电应用在国内来迅猛发展,中国已成为世界第一大太阳能产品制造和应用大国,带动了国内产值数千亿的新兴光伏产业。光伏产业要实现平价上网,降...
关键词:
关键词:多晶硅片太阳能发电
一种多晶硅铸锭炉的进气控制装置及多晶硅铸锭炉
本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉的进气控制装置,包括进气管及将从进气管进来的气体进行引导的气流引导组件,所述气流引导组件包括导流块与气流挡块,所述导流块被构造成一个允许气体通过的锥形腔体,所述导流块具有相对设置的大开口端...
何亮雷琦李松林胡动力程小娟
文献传递
铸锭多晶硅底部低少子寿命区域的研究
利用μ-PCD(微波光电导)少子寿命测试仪对铸锭多晶硅底部区域20~35 mm的少子寿命进行研究。结果显示:对于初生硅块,硅块底部存在35 mm的红边区(少子寿命<2μs),通过650℃退火30 min,硅块底部的红边区...
刘林艳胡动力程小娟游达
关键词:硅太阳能电池电池效率少子寿命
文献传递
铸锭多晶硅锭边部低少子寿命区的电性能研究
本文分析研究了多晶硅锭边部低少子寿命区域(俗称红边)对电池效率的影响.实验硅片平行于晶体方向切割,通过μ-PCD微波光电导和PL测试少子寿命和晶体缺陷,进一步排序做成电池并进行EL测试.试验结果表明,边部硅片少子寿命沿远...
程小娟彭也庆何亮李建敏李建胡动力
关键词:电学性能
文献传递
共1页<1>
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