甘小伟
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究被引量：2
- 2011年
- 抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素。因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要。随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一,受到越来越多的重视。根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理,并由此得出当抛光液磨料黏度为1.5 mPa.s时,抛光速率可达到458 nm/min且抛光表面粗糙度为0.353 nm的良好表面状态。
- 李伟娟周建伟刘玉岭何彦刚刘效岩甘小伟
- 关键词：黏度去除速率磨料化学机械抛光
- ULSI/GLSI低Na CMP浆料的纯化效率被引量：1
- 2011年
- 采用离子交换法去除ULSI/GLSI CMP浆料SiO2水溶胶中的Na+。介绍了微电子专用CMP SiO2水溶胶纯化的研究现状。实验分析了SiO2水溶胶中Na+与阳离子树脂的交换机理,硅溶胶中Na+去除分为硅溶胶溶液中Na+的去除和被硅溶胶胶团吸附Na+的去除。在交换动态平衡时,动态交换1 h较静态交换24 h生产效率提高了20多倍。同时阳1-阳1、阳2-阳1、阳3-阳1、阳1-阴1-阳1等离子交换工艺均能得到很好的纯化效果CNa+<5×10-6,不仅循环利用了树脂,而且酸碱耗量减少了50%以上。同时纯化硅溶胶配成碱性抛光液在硅片CMP应用中取得良好的结果。
- 甘小伟刘玉岭何彦刚李伟娟王娟宋洵奕
- 关键词：纯化离子交换NA^+
- 一种10位50MHz流水线模数转换器的设计被引量：2
- 2012年
- 采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2。测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB。输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB。
- 王林锋周建伟甘小伟刘利宾邢少川
- 关键词：流水线模数转换器采样保持电路运算放大器自举开关增益自举
- 低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究被引量：1
- 2011年
- 对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:1050nm/min;6.89 kPa:440nm/min)并降低了表面粗糙度:在较高压力(41.34 kPa)下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下(6.89 kPa),铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,最大划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求.
- 何彦刚王家喜甘小伟刘玉岭
- 关键词：低压碱性抛光液化学机械抛光铜
- CMP浆料SiO_2水溶胶纯化稳定性技术的研究
- 2013年
- 介绍了CMP浆料SiO2水溶胶的Na+含量过高对集成电路可靠性的影响,讨论了硅溶胶纯化制备过程中容易凝胶的不稳定现象。中试实验中,采用阳离子交换的方法,去除Na+等金属离子。改变SiO2水溶胶pH值,测量其Zeta电位,得到最稳定SiO2水溶胶pH值在10左右。分析一次阳离子交换和两次阳离子交换过程,得到Na+浓度、pH值和Zeta电位变化规律。加入有机碱调节pH值,并起到螯合金属离子的作用。最后得到Na+浓度为1×10-6～2×10-6 mol/L、pH值在10～10.5、Zeta电位在-40～-45 mV的稳定碱性硅溶胶。为碱性CMP浆料SiO2水溶胶工业化纯化制备生产提供了理论依据。
- 张超刘玉岭甘小伟
- 关键词：硅溶胶离子交换PH值ZETA电位
- 碱性Cu化学机械抛光液性能研究被引量：2
- 2011年
- 在分析碱性Cu化学机械抛光液作用机理的基础上,考察了抛光液对铜晶圆电化学、表面形态、化学机械抛光去除速率等性能。结果发现:选用新研制的络合剂R(NH2)n,将Cu的氧化物、氢氧化物转化为可溶性络合Cu,实现了碱性抛光液中Cu的去除。同时发现,随着碱性抛光液质量分数的增加,淀积Cu层不仅易被腐蚀,腐蚀速率也有所增加,并且当抛光液质量分数达到63.7%(Cu3),会对Cu的腐蚀起到抑制作用。抛光后表面形态分析说明此碱性化学机械抛光液能有效改善晶圆表面粗糙度,且对Cu层平均去除速率是酸性商用抛光液的4～5倍。
- 何彦刚王家喜甘小伟李伟娟刘玉岭
- 关键词：抛光液化学机械抛光去除速率表面形态
