李俊
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用被引量：6
- 2013年
- 硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。
- 陈杰李俊赵金茹李幸和许生根
- 关键词：深槽介电特性原子层沉积
- SPC在微电路生产中腐蚀工序的应用被引量：1
- 2010年
- 文章介绍了统计过程控制(SPC)的基本概念和基本原理,以及在微电路生产中腐蚀工序的应用。详细介绍潜在工序能力指数和实际工序能力指数的区别以及双侧规格下的常规计算方法,给出实际生产中工序能力指数的判断准则。研究SPC在腐蚀工序中在线设备运转状态和产品的关键工艺参数的监控内容及方式。讨论SPC实施过程中控制图的建立过程、参数数据的采集、控制图的选用、常用的判异准则以及如何进行工序能力评价。结合实例,论证腐蚀工艺控制过程中出现失控点时的分析思路和处理方法。
- 赵金茹王春栋秦永伟李俊
- 关键词：SPC控制图
- 0.5μm有源区腐蚀工艺的正交优化
- 2010年
- 文章基于Precision5000等离子刻蚀技术,运用正交优化实验法,控制由LPCVD制备的Si3N4膜层对SiO2的选择比,对0.5μm有源区腐蚀工艺进行优化。运用minitab软件获得选择比的主效应图、效应的Pareto图、正态概率图,并讨论O2、Ar、CHF3气体对选择比的影响,最终获得各气体成分的最佳配比。实验结果表明有源区腐蚀中通过提高过腐蚀中Si3N4对SiO2的选择比来减少SiO2的损失,可以成功地将SiO2的损失控制在合理范围内,且腐蚀后平面、剖面形貌等各种参数符合产品要求。
- 秦永伟赵金茹王春栋李俊
- 关键词：选择比
- CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究被引量：1
- 2016年
- WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能。
- 陈培仓徐政李俊
- 关键词：CMOSWAT等离子体半导体工艺
- LDMOS微波功放器设计被引量：3
- 2013年
- 文章首先从功放器的合理选择、功放器工作状态的确定和功放器匹配电路的设计三个角度讨论了在设计功率放大器电路方案时应该考虑的不同因素。然后以实际项目需要的微波功率放大器为例,根据产品的技术指标要求,结合在做微波放大器设计和生产中积累的经验,设计了一款工作在P波段,典型增益在15 dB的功率放大器,通过合理选择功放器及其工作状态,设计电路结构、阻抗匹配,最终该功放具有输出功率稳定、增益平坦度小、线性度高、可靠性高等特点。
- 杨树坤李俊唐剑平王涛
- 关键词：功率放大器阻抗匹配LDMOS
