张宁波
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 交变电场下SiC/Ti扩散连接过程中原子扩散和界面反应被引量：1
- 2016年
- 为研究交变电场对界面处原子扩散行为及界面反应的影响,将交变电场引入SiC与Ti的扩散连接过程,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)及剪切性能测试等手段研究了交(直)流电场及电场强度对SiC/Ti扩散连接界面结构、原子扩散、剪切强度的影响,探讨了电场辅助扩散连接的物理机制.研究结果表明:在空洞闭合阶段,电压会使得界面处产生极大的镜像吸附力,使两个表面结合更加紧密,界面吸附力随着外加电压的增大和界面间距的减小而增大;在扩散反应阶段,施加电压会使界面处原子扩散通量增加,即外电压会促进SiC和Ti扩散连接界面处原子的扩散,电压越大,促进作用越明显.直流电压作用下扩散连接界面有正负极效应,而交流电压作用下无此效应.在950℃/1.5 h/7.5 MPa条件下施加400 V交流电压扩散连接接头强度达到63.8±9.4 MPa,界面反应层的相结构为SiC/Ti C/Ti C+Ti5Si3/Ti.电场可在一定程度上促进界面原子的扩散,提高连接效率.
- 孙东立张宁波王清李其海韩秀丽
- 关键词：SICTI电场
