康亭亭
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- HgCdTe反型层中自旋轨道耦合、塞曼效应及界面粗糙涨落效应研究
- 2020年
- 通过实验测量,研究了HgCdTe反型层中自旋轨道耦合、塞曼效应及界面粗糙涨落效应。采用理论模型对不同温度及不同平行磁场下的反弱局域效应进行分析,结果表明,在平行磁场中,界面粗糙涨落效应与塞曼效应均会对HgCdTe反型层的反弱局域效应产生抑制作用。其中,界面粗糙涨落效应表现为产生一个二维电子气法向的弱局域效应,对样品施加平行磁场会首先抑制界面粗糙涨落效应导致的法向弱局域效应,然后才以塞曼效应继续抑制反弱局域效应。通过对参数τ/τϕ与|m^*rg^*3|的分析表明,塞曼效应对反弱局域效应的抑制与温度无关。
- 涂华垚吕蒙张松然俞国林孙艳康亭亭陈鑫戴宁
- 关键词：碲镉汞自旋轨道耦合塞曼效应
- HgCdTe薄膜的输运特性及其应力调控
- 2020年
- 窄禁带直接带隙半导体材料碲镉汞(Hg1–xCdxTe)是一种在红外探测与自旋轨道耦合效应基础研究方面都具有重要应用意义的材料.本文对单晶生长的体材料Hg0.851Cd0.149Te进行阳极氧化以形成表面反型层,将样品粘贴在压电陶瓷上减薄后进行磁输运测试,在压电陶瓷未加电压时观察到了明显的SdH振荡效应.对填充因子与磁场倒数进行线性拟合,获得样品反型层二维电子气的载流子浓度为ns=1.25×10^16m^-2.在不同磁场下,利用压电陶瓷对样品进行应力调控,观测到具有不同特征的现象,分析应是样品中存在二维电子气与体材料两个导电通道.零磁场下体材料主导的电阻的变化应来源于应力导致的带隙的改变;而高场下产生类振荡现象的原因应为应力导致的二维电子气能级的分裂.
- 张松然何代华涂华垚孙艳康亭亭戴宁褚君浩俞国林
- 关键词：HGCDTE压电陶瓷
- 负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究被引量：1
- 2017年
- 通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换,得到了样品的零场自旋分裂能约为26.55 meV,证明样品中存在强自旋-轨道耦合作用.进一步分析SdH中的拍频节点估算了样品中的有效g因子约为–11.54.
- 沈丹萍张晓东孙艳康亭亭戴宁褚君浩俞国林
- 关键词：HGCDTE
- Te元素掺杂Bi_2Se_3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应（英文）
- 2017年
- 采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T^(-0.96)指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.
- 田锋周远明张小强魏来明梅菲徐进霞蒋妍吴麟章康亭亭俞国林
- 关键词：拓扑绝缘体
- 一种无液氦光谱学恒温器黑体辐射光源样品室
- 本发明公开了一种无液氦光谱学恒温器黑体辐射光源样品室，样品室包括底座，防热辐射冷屏，样品架，内置温度计的铜块，玻璃钢底座，内置温度计小底座，温度计和加热电阻片。该样品室主要特征在于利用防热辐射冷屏屏蔽外界热辐射的干扰，利...
- 张豫徽康亭亭
- InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性被引量：1
- 2017年
- 在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
- 张豫徽宋志勇陈平平林铁田丰康亭亭
- 关键词：锑化铟磁阻效应
- 无液氦光谱学恒温器黑体辐射光源样品室
- 本专利公开了一种无液氦光谱学恒温器黑体辐射光源样品室，样品室包括底座，防热辐射冷屏，样品架，内置温度计的铜块，玻璃钢底座，内置温度计小底座，温度计和加热电阻片。该样品室主要特征在于利用防热辐射冷屏屏蔽外界热辐射的干扰，利...
- 张豫徽康亭亭
- 文献传递
- InN超导中的磁通钉扎性质研究
- 2021年
- InN是三五族半导体中唯一具有超导性质的材料,在超导体/半导体混合器件领域具有重要的应用价值。运用磁输运的方法,系统性地研究了磁通钉扎对InN超导性质的影响。通过对超导转变过程中的Ⅰ-Ⅴ曲线进行标度,发现InN超导中存在涡旋液体态到涡旋玻璃态的相变。在涡旋液体态,用热激活磁通蠕动模型分析了磁通运动的机制,发现InN超导中存在单磁通钉扎到集体钉扎的转变;在涡旋玻璃态,首先对临界电流与温度的关系进行了分析,确定了InN超导中主要的磁通钉扎机制:δL钉扎。然后对临界电流与磁场的关系进行了分析,发现临界电流在磁场下的迅速衰减是集体钉扎所导致的结果。最后,基于Dew-Hughes模型,对钉扎力与磁场强度的依赖关系进行了分析,发现InN中的钉扎中心的主要是点钉扎。该研究为提高InN的临界电流密度奠定基础。
- 宋志勇商丽燕商丽燕陈平平褚君浩康亭亭
- 关键词：氮化铟超导磁通动力学临界电流
- 一种无液氦光谱学恒温器黑体辐射光源样品室
- 本发明公开了一种无液氦光谱学恒温器黑体辐射光源样品室，样品室包括底座，防热辐射冷屏，样品架，内置温度计的铜块，玻璃钢底座，内置温度计小底座，温度计和加热电阻片。该样品室主要特征在于利用防热辐射冷屏屏蔽外界热辐射的干扰，利...
- 张豫徽康亭亭
- 文献传递
