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冯秋霞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：大连理工大学更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇低功耗
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇功耗
  • 1篇BICMOS

机构

  • 1篇大连理工大学

作者

  • 1篇孙俊岳
  • 1篇蒋国平
  • 1篇刘军
  • 1篇冯秋霞

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计
2007年
基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V～5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。
冯秋霞刘军蒋国平孙俊岳
关键词：BICMOS低功耗
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