赵世荣
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
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- p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的Pt^+注入改性研究
- 2009年
- 对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从10-1Ω.cm2数量级降低到10-3Ω.cm2数量级。通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1016cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律。在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω.cm2。探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制。
- 李鸿渐石瑛赵世荣何庆尧蒋昌忠
- 关键词：P-GAN欧姆接触离子注入
- Zn+、Pt+离子注入对p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的改善研究
- 采用离子注入工艺,对p-GaN与Ni/Au(5/10nm)电极的接触界面进行Zn+、Pt+离子注入,注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火(RTA)处理,发现Ni/Au电极和p-GaN的欧姆接触特性得到了明显改善。Z...
- 石瑛赵世荣李鸿渐何庆尧
- 关键词：欧姆接触离子注入快速热退火
- Zn+、Pt+离子注入对p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的改善研究
- 采用离子注入工艺,对p-GaN与Ni/Au（5/10 nm）电极的接触界面进行Zn、Pt离子注入,注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火（RTA）处理,发现Ni/Au电极和p-GaN的欧姆接触特性得到了明显改善。Zn...
- 石瑛赵世荣李鸿渐何庆尧
- 关键词：P-GAN欧姆接触离子注入快速热退火
- 文献传递
- Zn^+注入对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响
- 2009年
- 首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性。Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的载流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入。经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤。研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级。研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2。用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制。
- 李鸿渐石瑛赵世荣何庆尧蒋昌忠
- 关键词：P-GAN欧姆接触离子注入
