李亚丽
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学更多>>
- 具有全方位光管理能力的光阱结构被引量：1
- 2020年
- 本文提出了一种基于砷化镓(GaAs)材料且具有全方位光管理能力的纳米方形光阱结构.通过光学模拟可知,该结构在较大结构参数范围内具有优异的全向光管理能力.当该结构的有效厚度为407 nm时,在AM1.5G光照下,其光电流密度可达29.51 mA/cm 2,而在同样条件下,2000 nm厚的平面GaAs结构只能产生19.80 mA/cm 2的光电流密度.由光电模拟可知,为了获得合理的高光电转换效率,应使少数载流子寿命大于等于1.0×10-7 s,表面复合速率小于等于100 s/cm.
- 张文杰王军王艳周吴宗豪李亚丽
- 关键词：时域有限差分法光电器件
- 金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线被引量：2
- 2015年
- 采用金属辅助化学刻蚀法(HF/AgNO3溶液)在单晶硅表面制备了硅纳米线阵列,深入探讨了金属辅助化学刻蚀的机理,并研究了单晶硅表面纳米线阵列的光学性质。通过扫描电子显微镜对样品的形貌进行了表征,探讨了金属辅助化学刻蚀的化学反应机理,研究了反应时间、反应温度等参数对硅纳米线形貌的影响,同时对硅表面纳米线阵列的反射率进行了测试。结果表明,硅表面纳米线阵列对可见光有很好的减反射性能,并且发现通过改变溶液浓度、延长反应时间及升高反应温度等,可以有效调节硅纳米线阵列的抗反射性能。这是由于表面引入的硅纳米线结构,不仅可以增加入射光光程,还可以连续调节空气与硅基底之间的空间有效折射率,起到减反的作用。研究表明,在相同刻蚀溶液浓度下,反应温度50℃时所获得硅纳米线阵列的减反射性能为最优。
- 王艳周岳红伟栗军帅李亚丽
- 关键词：硅纳米线光学性质反射率
