刘淼
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
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- 抗总剂量效应的MOS场效应管
- 本发明公开了一种抗总剂量效应的MOS场效应管，属于MOS场效应管的设计技术领域。该场效应管在源区和漏区的边缘使用多晶硅环绕源区和漏区两极，同时多晶硅覆盖有源区的边缘形成的蝴蝶柵形结构，因为P管不存在边缘寄生晶体管反型的问...
- 刘淼康晓峰
- 文献传递
- 提高栅氧化层质量的制备工艺
- 本发明公开了一种提高栅氧化层质量的制备工艺，属于半导体功率器件制造加工技术领域。该工艺包括：(1)制备栅氧化层前对硅片进行清洗，以保证硅片表面的洁净；(2)制备栅氧化层前进行管道处理，以改善炉管内气氛，具体是采用低温条件...
- 吴会利刘淼
- 文献传递
- 抗总剂量效应的MOS场效应管
- 本发明公开了一种抗总剂量效应的MOS场效应管，属于MOS场效应管的设计技术领域。该场效应管在源区和漏区的边缘使用多晶硅环绕源区和漏区两极，同时多晶硅覆盖有源区的边缘形成的蝴蝶柵形结构，因为P管不存在边缘寄生晶体管反型的问...
- 刘淼康晓峰
- 文献传递
- 抗单粒子功能中断的D触发器设计方法
- 本发明公开了一种抗单粒子功能中断的D触发器，该D触发器采用特殊设计的加固DICE结构，该结构由时钟冗余电路，主DICE锁存器，从DICE锁存器，延时滤波电路，相位转换电路组成。该D触发器中的相位转换电路通过相位延时的方法...
- 刘淼吴会利刘丽娜王丹
- 文献传递
- 抗单粒子功能中断的加固技术研究
- 2020年
- 为降低辐射环境中单粒子功能中断(SEFI)对集成电路的影响,在研究单粒子功能中断原理的基础上,开展了DICE触发器抗单粒子功能中断技术研究。在深入分析单粒子功能中断的诱因的基础上,结合DICE触发器电路结构,设计了包含时钟冗余电路、主DICE锁存器、从DICE锁存器、延时滤波电路、相位转换电路的DICE触发器,得到了具有抗单粒子功能中断能力的加固DICE触发器。在仿真电路中,通过增加模拟单粒子效应(SEE)的电流源,仿真验证单粒子干扰(SED)对DICE触发器的影响。仿真结果表明,该加固DICE触发器具有良好的抗单粒子功能中断能力,可以有效抑制单粒子引起的DICE触发器功能中断。
- 刘淼牛英山
- 关键词：单粒子电流源
- 提高栅氧化层质量的制备工艺
- 本发明公开了一种提高栅氧化层质量的制备工艺，属于半导体功率器件制造加工技术领域。该工艺包括：(1)制备栅氧化层前对硅片进行清洗，以保证硅片表面的洁净；(2)制备栅氧化层前进行管道处理，以改善炉管内气氛，具体是采用低温条件...
- 吴会利刘淼
- 浅析基于Modelsim FLI接口的协同仿真被引量：1
- 2006年
- 介绍了如何利用modelsim提供的FLI(Foreign Language Interface)接口对VHDL设计文件进行协同仿真,给出了协同仿真的意义以及协同仿真的程序结构和系统结构。
- 裴志强刘淼
- 关键词：FPGA器件仿真软件
