2024年8月26日
星期一
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
冯越
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
供职机构:
安徽大学电子信息工程学院
更多>>
发文基金:
教育部留学回国人员科研启动基金
国家自然科学基金
国家科技重大专项
更多>>
相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
更多>>
合作作者
尤肖虎
东南大学信息科学与工程学院移动...
时龙兴
东南大学国家专用集成电路系统工...
柏娜
安徽大学电子信息工程学院
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
电子电信
1篇
自动化与计算...
主题
1篇
低电源电压
1篇
低功耗
1篇
电源电压
1篇
亚阈值
1篇
泄漏电流
1篇
功耗
1篇
SRAM
机构
1篇
安徽大学
1篇
东南大学
作者
1篇
柏娜
1篇
时龙兴
1篇
尤肖虎
1篇
冯越
传媒
1篇
东南大学学报...
年份
1篇
2013
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计
被引量:5
2013年
提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压(200 mV)条件下依然能够保持足够的鲁棒性,采用差分读出方式和可配置的操作模式.为极大限度地降低电路功耗,采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在不提高动态功耗与不增加性能损失的前提下,可同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流.基于IBM 130 nm工艺,实现了一款256×32 bit大小的存储阵列.测试结果表明,该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13μW,为常规六管存储单元功耗的1.16%.
柏娜
冯越
尤肖虎
时龙兴
关键词:
亚阈值
泄漏电流
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张