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冯越

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：安徽大学电子信息工程学院更多>>
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相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇低电源电压
  • 1篇低功耗
  • 1篇电源电压
  • 1篇亚阈值
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇功耗
  • 1篇SRAM

机构

  • 1篇安徽大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 1篇柏娜
  • 1篇时龙兴
  • 1篇尤肖虎
  • 1篇冯越

传媒

  • 1篇东南大学学报...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
极低电源电压和极低功耗的亚阈值SRAM存储单元设计被引量：5
2013年
提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压(200 mV)条件下依然能够保持足够的鲁棒性,采用差分读出方式和可配置的操作模式.为极大限度地降低电路功耗,采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在不提高动态功耗与不增加性能损失的前提下,可同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流.基于IBM 130 nm工艺,实现了一款256×32 bit大小的存储阵列.测试结果表明,该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13μW,为常规六管存储单元功耗的1.16%.
柏娜冯越尤肖虎时龙兴
关键词：亚阈值泄漏电流
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共1页<1>
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