马楠
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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- GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料PL谱研究
- 2009年
- 结合薛定谔方程和泊松方程,模拟计算得到GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料能带图,并对该材料进行光致荧光谱(PL)测量。结合理论计算,由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置,采用传输矩阵法得到价带与导带基态能量,并由此推算出相应的红外探测响应波长。以傅里叶变换红外光谱仪对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器器件进行光谱测量,测量结果表明,所采用的计算方法得出的理论结果与器件的光电流谱吻合较好,利用光荧光谱对外延材料进行测量,可以在器件工艺前,快速确定器件的探测波长,从而更加有效地开展器件的研究。
- 马楠邓军牟明威史衍丽沈光地
- 关键词：多量子阱红外
- 多量子阱红外探测器垂直光耦合研究被引量：1
- 2008年
- 对多量子阱红外探测器制作中GaAs衬底减薄工艺程序进行了研究与讨论。通过将器件压焊封装进杜瓦瓶中,测量其室温和低温条件下I-V特性,以及在低温条件下的器件信噪比,并以傅里叶变换红外光谱仪对器件进行光谱测量,得到光电流谱,从而比较了将器件衬底磨45°斜角的边耦合情况,以及直接将衬底减薄至(29±2)μm两种情况下器件的性能。并讨论了减薄材料在垂直入射情况下仍能引起器件光吸收的主要原因。结果表明,由于GaAs材料的各向异性,湿法腐蚀会使器件台面形成正梯形和倒梯形结构,其作用等同于器件磨至45°斜角,因此在垂直入射时器件也会有光电流产生。此外,在衬底进行减薄抛光后,衬底会有很小的起伏,这也可能引起光耦合,从而产生光电流。
- 马楠邓军牟明威史衍丽崔碧峰张蕾沈光地
- 关键词：多量子阱红外光耦合
- 隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布被引量：1
- 2008年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布。瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合。稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度。沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快。芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心。
- 张蕾崔碧峰段天利马楠郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生
- 传输矩阵法在多量子阱红外探测器结构设计中的应用被引量：1
- 2008年
- 采用传输矩阵法对多量子阱结构导带子能级位置进行理论计算,确定其量子阱宽度、势垒高度等物理参数。用MBE设备进行GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器结构材料的生长。利用傅里叶变换红外光谱仪对所制作的器件进行了光谱测量,不同外延材料的对比实验结果表明,器件的峰值响应波长与理论计算结果吻合较好;由传输矩阵法计算确定的多量子阱导带子能级位置而推算得到的响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性。
- 马楠邓军牟明威史衍丽沈光地
- 关键词：多量子阱红外探测器传输矩阵法
- 多量子阱红外探测材料的光致荧光谱
- 2009年
- 在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求。本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长。以光致荧光光谱对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长。计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作。同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3。
- 马楠邓军史衍丽沈光地
- 关键词：红外QWIP暗电流光荧光谱
- 多量子阱红外探测器衬底减薄工艺研究被引量：1
- 2008年
- GaAs衬底减薄是制作GaAs基多量子阱焦平面红外探测阵列器件工艺中重要的一步,对器件的性能有重要的影响。采用手工和机器减薄抛光相结合的方法,成功地将器件厚度从625μm降为29±2μm。在77 K下,得到了器件的光响应,并对实验结果进行了分析,讨论了垂直入射引起器件光吸收的主要原因。
- 马楠邓军史衍丽崔碧峰李晓波张蕾沈光地
- 关键词：多量子阱红外光耦合
- 用PL谱评测多量子阱红外探测器外延材料
- 2009年
- 对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料进行了光致荧光谱(PL)测量,结合理论计算,由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置,并由此推算出相应的红外探测响应波长。推算结果与器件光电流实验值的对比表明,由光致荧光谱(PL)测量结果计算得到的响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性。
- 马楠邓军牟明威史衍丽沈光地
- 关键词：多量子阱红外
