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陈章红

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇介电
  • 1篇电磁带隙
  • 1篇电磁带隙结构
  • 1篇电性能
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇退火
  • 1篇微带
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇介电特性
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇非金属材料
  • 1篇SOL
  • 1篇SR
  • 1篇BST薄膜
  • 1篇CO掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇BA

机构

  • 3篇武汉大学

作者

  • 3篇赵兴中
  • 3篇陈章红
  • 2篇印志强
  • 1篇张曼
  • 1篇李美亚
  • 1篇孙小华
  • 1篇李林
  • 1篇陈东
  • 1篇王胜

传媒

  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
具有多频带特性的微带电磁带隙结构
2007年
利用分形结构的自相似性，通过在微带信号线两侧引入“H”型分形，研制了一种微带电磁带隙结构．该结构在0～15GHz频率范围内显示出了多禁带和通带的频带特性．实验中运用传统的印刷电路板工艺制作了这种微带电磁带隙结构，并通过矢量网络分析仪和时域有限差分方法分别得到了实验结果和模拟结果，证实了这种微带电磁带隙结构具有多禁带和通带的频带特性．
陈东赵兴中王胜李林陈章红张曼
关键词：电磁带隙结构
Co掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜介电性能的影响
2006年
利用溶胶凝胶工艺在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%（摩尔分数）的（Ba0.6Sr0.4）Ti1-xCoxO3薄膜。研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系。薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少，在摩尔含量10%时达到最小值0．0128。FOM值在摩尔含量为2．59，6达到最大值20，它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639．42、0．0218、43．6%。
印志强孙小华陈章红李美亚赵兴中
关键词：溶胶-凝胶介电特性
Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响被引量：4
2006年
用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜。用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加。x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28。
陈章红印志强赵兴中
关键词：无机非金属材料BST薄膜退火介电性能
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