陈小强
- 作品数：8 被引量：10H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程农业科学更多>>
- 一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件
- 本发明公开了一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件。该铪基高k栅介质堆栈结构包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化...
- 陈小强杜军熊玉华魏峰
- 文献传递
- 温度、钼硫源质量比对化学气相沉积法制备MoS2薄膜尺寸形貌的影响
- 张鑫魏峰赵鸿滨徐瑶华陈小强梁晓平张文强刘钊成
- Hf-Ti-O栅介质薄膜材料以及在ETSOI MOSFET器件的性能研究
- 本论文主要研究Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料的MOS和ETSOI MOSFET器件性能.通过MOS器件性能研究,得到以Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料具有优异的电学性能,其EOT能达到～0.77 nm,同时平带电压弛豫...
- 陈小强
- 关键词：HIGH-KDIBL
- 铪基栅介质薄膜的PEALD制备及界面调控研究
- 随着CMOS集成电路的快速发展,集成电路的基本单元MOSFET器件的几何尺寸不断缩小。在这种条件下,器件的栅介质性能、沟道迁移率以及短沟道控制力、可靠性等方面随之遇到严峻挑战。特别是进入16纳米及以下节点以后,CMOS器...
- 陈小强
- 关键词：等离子体处理SIGEMOSFET
- 文献传递
- Nd2O3掺杂的HfO2高k栅介质薄膜ALD制备及性能研究
- 2018年
- 采用原子层沉积技术（ALD）制备了Nd2O3掺杂的HfO2高k栅介质薄膜（Hf-bid-O），通过x射线光电子能谱（XPS）研究了薄膜中元素的成分、结合能及化学计量比，分析了Nd2O3掺杂后薄膜中氧空位浓度和界面层成分的变化；通过测量薄膜的光致发光（PL）图谱，比较了Nd2O3掺杂前后铪基薄膜中的氧空位浓度变化，分析了Nd2O3掺杂对HfO2薄膜中氧空位浓度的影响；通过高分辨率透射电子显微镜（HR-TEM）研究了薄膜厚度及形态；制备了Pt／HfO2（Hf-Nd-O）／lL／n-Si／AgMOS结构，应用半导体参数测试仪得到薄膜的电容-电压（C-V）和漏电流密度-电压（J-V）特性曲线。结果表明，Nd2O3掺入HfO2薄膜后，整个铪基薄膜体系的氧空位减少，Hf-O键的结合能提高，Hf和O的原子比更接近理想的化学计量比（1：2）；在同样物理厚度与界面制备工艺条件下，Nd2O3的掺入使得MOS结构的饱和电容值提高，EOT降低，Vg=（Vfb＋1）V时，Nd2O3掺杂的HfO2薄膜的漏电流密度为8．7×10-3A·cm2，相比于纯HfO2薄膜的3．5×10-2A·cm2有明显降低，电学性能整体得到提高。
- 张文强熊玉华魏峰陈小强梁晓平赵鸿滨
- 关键词：ND2O3HFO2原子层沉积氧空位
- 一种具有高介电常数结晶相的锆基栅介质材料以及其制备方法
- 本发明公开了一种具有高介电常数结晶相的锆基栅介质材料以及其制备方法。该锆基栅介质材料通过稀土化合物掺杂氧化锆，经退火结晶化处理而得。其制备方法为：(1)采用磁控溅射、激光溅射技术制备稀土化合物与氧化锆混合均匀的锆基薄膜，...
- 陈小强熊玉华魏峰赵鸿滨杜军
- 文献传递
- 快速热退火对Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt阻变特性的影响
- 2020年
- 采用磁控溅射在Si/SiO_(2)衬底上制备了Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt阻变器件(RRAM),研究并分析了快速热退火对Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt器件阻变特性的影响。通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)研究了快速热退火对Dy_(2)O_(3)薄膜表面形貌、薄膜结构和Dy、O化学价态的影响。通过对不同退火条件下Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt器件的电学特性测试,研究了不同退火温度对器件阻变特性的影响。实验结果表明,退火增加了Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt器件初始电阻值,增大了器件的开关比(Roff/Ron);降低了器件的操作电压提高了器件电阻转变一致性。XPS分析表明退火后薄膜表面氧含量升高,表面氧含量变化为非晶格氧含量的增加。能谱(EDS)扫描结果表明退火后Dy_(2)O_(3)表面增加的非晶格氧来源于器件制备过程中存在于Dy_(2)O_(3)薄膜缺陷处的氧在退火时被激活向表面扩散,表面氧的富集引起器件初始电阻升高,薄膜内部氧向表面迁移在薄膜内部产生新的氧空位,引起器件操作电压的降低。
- 于军洋赵鸿滨陈小强陈小强
- 关键词：氧化镝快速热退火氧空位
- 纳米TiO_2电子传输层制备方法及其钙钛矿太阳能电池性能被引量：10
- 2019年
- 采用旋涂法(SC)、原子层沉积(ALD)和磁控溅射(MS)3种方法制备二氧化钛(TiO_2)致密籽晶层并生长TiO_2纳米柱层(TiO_2 nanorod layer),研究了由TiO_2致密层(TiO_2 compact layer)和TiO_2纳米柱层组成的纳米TiO_2层(nano-TiO_2 layer)的形貌结构及其作为电子传输层(ETL)对钙钛矿太阳能电池(PSCs)性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对制备的纳米TiO_2层的结构、形貌进行了表征。研究发现采用磁控溅射制备的TiO_2籽晶层的表面粗糙度最大,为26.6 nm,有利于生长TiO_2纳米柱层,生长的金红石型晶体结构的TiO_2纳米柱具有最好的结晶性。采用紫外可见吸收光谱(ultravioletvisible absorption spectroscopy)对掺氟的SnO_2透明导电玻璃(FTO)/纳米TiO_2层/钙钛矿层结构的光吸收性能进行分析。采用电流-电压曲线(I-V曲线)对不同纳米TiO_2层的钙钛矿太阳能电池性能进行了测试分析。结果表明,与旋涂法、原子层沉积方法相比,采用磁控溅射制备的纳米TiO_2层作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池具有最佳的转换效率。
- 梁晓平陈小强赵鸿滨杨志民魏峰屠海令
- 关键词：旋涂法原子层沉积电子传输层
