郭亚坤
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 超薄锗单晶抛光片质量稳定性研究被引量：5
- 2016年
- P型超薄锗抛光片是制作空间太阳能电池的衬底材料,表面质量状态的稳定性控制对于后续外延及器件质量有着重要的影响。通过分析抛光工艺过程、清洗工艺过程、包装质量对稳定性的影响,首次提出了采用表面微观平坦度和表面雾值来衡量锗抛光片表面质量优劣和稳定性,对于提高锗抛光片加工水平和统一控制标准,具有重要的意义。
- 王云彪杨洪星耿莉郭亚坤
- 关键词：稳定性
- 硅单晶片损伤层对抛光去除量的影响研究
- 2015年
- 硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料,随着集成电路不断向小线宽、低成本方向发展,对于硅单晶片的质量水平和成本控制提出了更高的要求。研究表面损伤层与抛光去除量的关系,能够有效控制抛光去除量的大小,对于提高抛光片表面质量、控制生产成本、优化工艺条件具有重要的意义。通过恒定腐蚀法与化学机械抛光法相结合的方式分析了损伤层深度与去除量的关系,研究发现研磨片、碱腐蚀片和酸腐蚀片的表面损伤层深度依次降低,但均小于抛光去除量,依据损伤层模型,提出了抛光去除量取决于腐蚀后表面晶胞状况的观点。
- 王云彪田原杨召杰郭亚坤
- 关键词：硅单晶片损伤层
- 锗抛光片清洗工艺研究被引量：1
- 2015年
- 采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果。利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物。
- 郭亚坤陈晨田原范红娜王云彪
- 关键词：清洗技术
