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胡刚毅

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 7篇探测器
  • 6篇光电
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 4篇金属阳极
  • 4篇二极管
  • 3篇光子
  • 3篇半导体
  • 2篇等离子刻蚀
  • 2篇电极
  • 2篇电器件
  • 2篇电阻
  • 2篇短波
  • 2篇氧化钽
  • 2篇引出电极
  • 2篇增强型
  • 2篇栅介质
  • 2篇碳化硅
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇欧姆接触电极

机构

  • 13篇电子科技大学

作者

  • 13篇张波
  • 13篇张有润
  • 13篇胡刚毅
  • 6篇刘影
  • 4篇陈航
  • 4篇刘凯
  • 4篇李明晔

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种含埋氧层结构的光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种含埋氧层结构的光电探测器，可进行可见光到红外光的探测。其中Ge PIN型光电二极管和Si PIN型光电二极管通过含埋氧层的重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
文献传递
GaN基增强型MOS-HEMT器件及其制备方法
本发明提供一种GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法，从下至上依次包括：Si衬底、GaN层、AlGaN层、钝化层、处于栅下AlGaN层中由金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物，合金化合物上侧覆盖有氧化钽栅介质...
张有润刘程嗣刘影庞慧娇胡刚毅张波
文献传递
一种用于单光子探测器的模拟计数电路
一种用于单光子探测器的模拟计数电路，属于半导体光电技术领域。包括脉冲整形单元、电流镜单元、复位单元和电压跟随器，脉冲整形单元的输入端作为模拟计数电路的输入端连接雪崩脉冲信号，将雪崩脉冲信号整形后输入电流镜单元的输入端；利...
张有润郭俊泽路统霄李俊焘胡刚毅张波
文献传递
一种含埋氧层结构的光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种含埋氧层结构的光电探测器，可进行可见光到红外光的探测。其中Ge PIN型光电二极管和Si PIN型光电二极管通过含埋氧层的重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法
本发明提供一种GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法，从下至上依次包括：Si衬底、GaN层、AlGaN层、钝化层、处于栅下AlGaN层中由金属钽与AlGaN层反应生成的合金化合物，合金化合物上侧覆盖有氧化钽栅介质...
张有润刘程嗣刘影庞慧娇胡刚毅张波
一种硅基三光电探测器
一种硅基三光电探测器，属于半导体光电器件领域。包括P型衬底和设置在P型衬底上的深N阱，P型衬底和深N阱构成屏蔽二极管PD1；深N阱上设置有P阱，P阱外围设置有N阱，P阱和深N阱构成第一工作二极管PD2；N阱内设置第一N+...
张有润郭俊泽路统霄李俊焘胡刚毅张波
文献传递
一种光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
一种SiC-BJT的单电源驱动电路
一种SiC‑BJT的单电源驱动电路，属于电力电子技术领域。包括提供脉冲电流的动态支路、提供静态电流的恒流支路以及控制开关的逻辑控制电路，其中动态支路又分为正脉冲支路和负脉冲支路；数字逻辑控制电路用于产生第一控制信号、第二...
张有润路统霄陈航顾航李俊焘胡刚毅张波
文献传递
一种硅基三光电探测器
一种硅基三光电探测器，属于半导体光电器件领域。包括P型衬底和设置在P型衬底上的深N阱，P型衬底和深N阱构成屏蔽二极管PD1；深N阱上设置有P阱，P阱外围设置有N阱，P阱和深N阱构成第一工作二极管PD2；N阱内设置第一N+...
张有润郭俊泽路统霄李俊焘胡刚毅张波
一种光电探测器
本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应...
张有润钟晓康刘影李明晔刘凯胡刚毅张波
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