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石聪聪

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国矿业大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 4篇电平
  • 4篇直流
  • 3篇死区
  • 3篇逆变
  • 3篇逆变器
  • 3篇桥臂
  • 3篇开关
  • 3篇MOSFET
  • 2篇电机
  • 2篇电机转子
  • 2篇电励磁
  • 2篇电励磁同步电...
  • 2篇电流
  • 2篇电平变换器
  • 2篇电平逆变器
  • 2篇电容
  • 2篇电容电压
  • 2篇电压
  • 2篇直流侧
  • 2篇直流母线

机构

  • 9篇中国矿业大学

作者

  • 9篇石聪聪
  • 5篇周凯
  • 4篇李敏
  • 4篇蔡明哲
  • 4篇孙伟男
  • 4篇朱晓莹
  • 3篇张雷
  • 3篇戴鹏
  • 2篇徐楠
  • 2篇原熙博
  • 2篇伍小杰
  • 2篇魏琛
  • 2篇张永磊
  • 2篇吕彦
  • 1篇公铮
  • 1篇梁改革
  • 1篇王飞
  • 1篇郭国胜
  • 1篇朱玉振
  • 1篇梁琨

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种带容错运行的同步电机转子励磁电路
本发明公开了一种运用于电励磁同步电机中的带容错运行的转子励磁电路。该电路可以实现电励磁同步电机励磁电路部分器件故障时，将故障桥臂进行切除并用非故障桥臂维持正常运行。转子励磁电路包含两个桥臂，每个桥臂都有可将桥臂切除的开关...
孙伟男谢后晴夏秋实周凯李敏石聪聪朱晓莹蔡明哲吕彦徐楠
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SiC MOSFET模块特性及其三相两电平逆变器调制策略研究
伴随着第三代新型宽禁带半导体材料的出现，电力电子领域正在经历着不断的进步和革新，人们越来越关注变换器及系统整体效率和功率密度的提高。相较于 Si 基器件，碳化硅（Silicon Carbide，SiC）金属氧化物半导体场...
石聪聪
关键词：三相逆变器开关损耗
一种提高碳化硅H桥逆变器稳定性与降低损耗的方法
本发明公开了一种在SiC MOSFET单相H桥逆变器中加入铁氧体磁珠从而提高系统稳定性与降低损耗的方法，包括：铁氧体磁珠的安放位置选择方法；铁氧体磁珠的数目选取方法。SiC MOSFET单相H桥电路包括：直流电源、直流侧...
戴鹏石聪聪谢后晴周凯孙伟男张雷
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一种带容错运行的同步电机转子励磁电路
本实用新型专利公开了一种带容错运行的同步电机转子励磁电路。该电路可以实现：电励磁同步电机励磁电路部分器件故障时，将故障桥臂进行切除并用非故障桥臂维持正常运行。转子励磁电路包含两个桥臂，每个桥臂都有可将桥臂切除的开关，并且...
孙伟男谢后晴夏秋实周凯李敏石聪聪朱晓莹蔡明哲吕彦徐楠
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一种模块化多电平变换器的控制系统架构
本发明涉及一种模块化多电平变换器的控制系统控制架构，其特征是：控制系统由主控制器、辅助控制器、模块控制器三级控制架构以及外部扩展AD组成。主控制器DSP用于主控制、桥臂电流采样、子模块均压以及算法设计，辅助控制器FPGA...
戴鹏公铮郭国胜蔡明哲梁改革李敏周凯谢后晴朱晓莹孙伟男石聪聪
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SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法
本发明公开了一种SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法，包括以下步骤：获取每相桥臂中点的输出电流；判断输出电流的极性，并根据输出电流的极性确定该相桥臂上桥开关管和下桥开关管的主动性；获取SiC MOSFET及其...
原熙博张雷张嘉航伍小杰石聪聪张永磊魏琛
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一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路
本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路，包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离，并能保证驱动的...
郑遵宇杨苏王飞石聪聪朱玉振李绍武梁琨
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SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法
本发明公开了一种SiC MOSFET三相两电平变换器死区设置方法，包括以下步骤：获取每相桥臂中点的输出电流；判断输出电流的极性，并根据输出电流的极性确定该相桥臂上桥开关管和下桥开关管的主动性；获取SiC MOSFET及其...
原熙博张雷张嘉航伍小杰石聪聪张永磊魏琛
一种三电平H桥五电平逆变器直流侧电容电压平衡方法
本发明公开了一种三电平H桥五电平逆变器直流侧电容电压平衡方法。本发明基于传统MPC算法，以跟踪参考电压为主要目标，同时有效平衡三相直流侧电容电压。首先对五电平的所有空间电压矢量建立其对应的数学模型，并计算出每个矢量作用时...
戴鹏周凯李敏石聪聪朱晓莹蔡明哲高爱杰崔琪张婉
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