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王虎

作品数:2 被引量:9H指数:1
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电流模
  • 1篇电流模式
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇三氯乙烯
  • 1篇热氧化
  • 1篇斜坡补偿
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇峰值电流模式
  • 1篇半导体
  • 1篇变换器
  • 1篇PWM变换器
  • 1篇TCE
  • 1篇6H-SIC
  • 1篇MOS

机构

  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇徐静平
  • 2篇王虎
  • 1篇钟德刚
  • 1篇李春霞
  • 1篇谭亚伟

传媒

  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种用于PWM变换器的斜坡补偿电路设计被引量:9
2007年
针对传统斜坡补偿的PWM变换器的电流输出能力会随着补偿电流的增加而下降的缺点,设计了一种用于峰值电流模式PWM变换器的斜坡补偿电路.通过改进系统箝位电路,使箝位电压能够随着补偿电流动态变化,从而保持系统的输出电流能力恒定,减小输出电压纹波.仿真采用CSMC 0.6μm工艺,结果表明:在输入电压大于1 V、占空比大于50%时,输出电压纹波在10 mV左右,大大提高了负载能力和系统稳定性.
徐静平王虎钟德刚谭亚伟
关键词:峰值电流模式PWM变换器斜坡补偿
TCE浓度对热氧化制备6H-SiC MOS特性的影响
2007年
研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度先减小后增大,应力下平带电压漂移减小,得出了最佳TCE:O2浓度比。
李春霞徐静平王虎
关键词:三氯乙烯金属氧化物半导体
共1页<1>
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