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李海龙

作品数:3 被引量:9H指数:2
供职机构:河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文基金:国家中长期科技发展规划重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇CMP
  • 1篇盐酸胍
  • 1篇速率
  • 1篇铜布线
  • 1篇抛光速率
  • 1篇抛光液
  • 1篇平坦化
  • 1篇转速
  • 1篇阻挡层
  • 1篇螯合剂
  • 1篇稳定性
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇碱性抛光液
  • 1篇PH值
  • 1篇
  • 1篇HCL

机构

  • 3篇河北工业大学

作者

  • 3篇王辰伟
  • 3篇刘玉岭
  • 3篇李海龙
  • 2篇张宏远
  • 1篇蔡婷
  • 1篇高娇娇
  • 1篇曹阳
  • 1篇陈蕊
  • 1篇曹哲

传媒

  • 3篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
阻挡层CMP中盐酸胍对铜和钽抛光速率的影响被引量:6
2013年
在铜互连超大规模集成电路(ULSI)中,由于铜和钽的物理化学性质的差异造成两者的去除速率不同,导致布线晶圆表面抛光后出现碟形坑等缺陷。针对该问题,研究了盐酸胍(CH5N3·HCl)对Cu和Ta去除速率选择性的影响。根据Cu和Ta的CMP机理,通过在有氧化剂和无氧化剂环境下的实验对比,以及不同质量分数的盐酸胍对Cu和Ta去除速率选择性的影响,对盐酸胍在钽CMP中的作用进行了定性和定量分析,确定并优化了盐酸胍及氧化剂的含量,使钽的去除速率快于铜的去除速率。应用上述抛光液对300mm布线晶圆进行阻挡层抛光实验,通过对碟形坑的检测,证明了该种抛光液能够高速、有效地修正碟形坑。
李海龙刘玉岭王辰伟张宏远高娇娇
关键词:阻挡层
pH值对碱性抛光液速率稳定性的影响被引量:1
2013年
通过分析pH值对碱性抛光液抛光速率稳定性的影响,得出了碱性抛光液抛光速率相对稳定的pH值区间,并与酸性抛光液进行了对比,在酸性环境中至少稳定24 h,pH≤4时甚至可稳定6天。在碱性环境中pH为8时稳定性效果较好。研究得出了不同体积分数的螯合剂对碱性抛光液速率稳定性的影响,河北工业大学微电子所研制的螯合剂为多羟多胺有机碱,具有调节pH的作用。随螯合剂的体积分数逐渐增加,碱性抛光液抛光速率的稳定性逐渐变差,因此在研究碱性抛光液配比时应注意螯合剂的体积分数,以提高稳定性。观察和分析了碱性抛光液在全pH值范围内的速率稳定性变化,并将碱性抛光液的pH值调至7以下,在不产生凝胶的前提下观察其速率的稳定性。
曹哲刘玉岭王辰伟李海龙蔡婷
关键词:PH值碱性抛光液稳定性速率螯合剂
65nm多层铜布线的碱性化学机械平坦化工艺被引量:2
2013年
主要研究了65 nm碱性铜布线的平坦化工艺。对不同尺寸铜线条进行抛光,讨论了抛光压力、抛光液流量和转速对平坦化的影响。结果表明,压力是影响平坦化的主要因素;分别改变压力、流量或转速时,窄线条的平坦化效果优于宽线条;平坦化效果随着压力的减小逐渐变好,即压力为1.0 psi(1 psi=6.895 kPa)时,平坦化效果最好;抛光液流量在300 mL/min时,化学反应和机械作用都达到饱和,平坦化效果最佳;平坦化效果随着转速的提高逐渐变好,转速在100 r/min时,保证了质量传递效率,所有铜线条都达到了最好的平坦化。
张宏远刘玉岭王辰伟李海龙陈蕊曹阳
关键词:转速平坦化
共1页<1>
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