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彭彩云

作品数：20 被引量：45H指数：4
供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
发文基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金国家重点基础研究发展计划新疆维吾尔自治区高校科研计划更多>>
相关领域：理学化学工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文期刊文章

领域

  • 15篇理学
  • 4篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 20篇第一性原理
  • 11篇第一性原理研...
  • 10篇态密度
  • 9篇第一性原理计...
  • 9篇光学
  • 9篇光学性
  • 9篇光学性质
  • 7篇电子结构
  • 7篇子结构
  • 6篇BATIO3
  • 6篇掺杂
  • 4篇电子能
  • 4篇电子能带
  • 4篇电子能带结构
  • 4篇共掺
  • 3篇能态
  • 3篇能态密度
  • 3篇稀土
  • 3篇介电函数
  • 3篇BATIO

机构

  • 20篇南京大学
  • 20篇伊犁师范学院
  • 2篇新疆教育学院

作者

  • 20篇张丽丽
  • 20篇彭彩云
  • 17篇张航
  • 14篇马梅
  • 14篇张文蕾
  • 6篇马兰
  • 6篇张晓旭
  • 5篇黄以能
  • 4篇曹庆琪
  • 4篇雷博程
  • 4篇夏桐
  • 2篇张晋鲁
  • 2篇王艳辉
  • 2篇蒋小康
  • 1篇徐明杰
  • 1篇李红梅

传媒

  • 14篇伊犁师范学院...
  • 3篇原子与分子物...
  • 3篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Hf、N以不同比例掺杂ZnO的第一性原理计算被引量：9
2017年
基于第一性原理密度泛函理论,计算分析了Hf、N以不同掺杂比例掺杂ZnO(Zn_(16)O_(16))形成Zn_(15)O_(16-x_HfN_x(x=1,2,3,4)体系的结构参数、电子结构、Mulliken电荷布居和光学方面的性质.计算结果表明,掺杂体系晶胞体积不同程度增大;x=1时体系的费米能级上移进入导带使其呈现n型半导体特征,吸收峰和反射峰红移较小,尤其是反射峰,主要表现为强度的变化;但x=2,3,4体系的费米能级均在价带顶附近,且随掺杂比例的增大,掺杂体系的费米能级进入价带的深度逐渐增大,N 2p态的贡献作用也越来越显著,使掺杂体系呈现p型半导体特征,吸收峰和反射峰均有较大的红移,这将有利于ZnO体系在可见光领域的应用.
张文蕾张航彭彩云马兰容婧婧张丽丽
关键词：第一性原理HFN掺杂电子结构光学性质
不同浓度C掺杂SnO_2的第一性原理计算被引量：4
2018年
采用基于密度泛函理论的第一性原理对不同浓度C掺杂SnO_2体系的晶体结构、能带结构、态密度以及光学性质进行了计算.结果表明:掺杂C原子后,晶胞体积和晶格常数都略微增大,且随着掺杂浓度的增大而增大,能带的禁带宽度则随着浓度的增大而减小.在光学性质中,掺杂C原子后体系的光吸收边都向低能方向移动,随着掺杂浓度的增大,体系红移的幅度也增大.
彭彩云雷博程夏桐徐明杰王艳辉张丽丽黄以能
关键词：第一性原理SNO2电子结构吸收光谱
铁电体Ba_(1-x)Sn_xTiO_3的电子结构及光学性能的第一性原理研究被引量：1
2016年
利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Sn掺杂BaTiO_3的电子结构和光学性质.计算结果表明,掺杂Sn元素后,体系的禁带宽度减小,能态密度向低能方向移动,费米能级进入价带,体现出p型半导体的特征.在光学性质上,与未掺杂的BaTiO_3相比,掺杂后体系静折射率和静态介电常数减小;能量损失峰明显往低能区移动,且随着掺杂浓度的增大能量损失强度也有所增加.
马兰容婧婧彭彩云张航马梅张文蕾张丽丽
关键词：BATIO3第一性原理态密度介电函数
铌掺杂钛酸钡的电子结构与光学特性的第一性原理计算被引量：3
2016年
基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势计算方法,计算了铌(Nb)掺杂钛酸钡的电子结构和光学性质,并进行了分析.计算结果表明:与掺杂前的钛酸钡结构相比,电子结构方面,Nb掺杂后,费米能级穿过导带,使材料具有n型半导体的特性.从态密度图中可以得出,在费米能级附近的态密度主要由稀土元素贡献.光学性质方面,随着Nb的掺杂浓度的增加,静折射率增大,有效地增强了BTO对光的吸收,提高了其光电转换效率;从能量损失中看出掺杂后能量损失谱峰出现红移现象.
张航彭彩云马梅张文蕾张晓旭容婧婧张丽丽
关键词：第一性原理BATIO3电子结构光学性质
稀土元素(Nd/Sm/Gd/Dy)掺杂SnO2的第一性原理计算被引量：8
2018年
基于密度泛函理论的第一性原理,计算分析了Nd、Sm、Gd和Dy四种稀土元素掺杂SnO_2的电子结构和光学性质。计算结果表明:掺杂稀土元素Nd、Sm、Gd、Dy后,Sn_7XO_(16)体系的晶胞体积及晶格常数都有不同程度的增大,禁带宽度减小,在费米能级附近出现了杂质能级。光学性质方面,掺杂稀土元素Nd、Sm、Gd、Dy后,体系的吸收边都向低能方向移动,发生了红移,拓宽了光谱响应范围,与未掺杂之前相比,掺杂稀土元素Nd后的静态介电常数减小,其余三种体系增大。
雷博程夏桐彭彩云刘桂安张丽丽黄以能赵静
关键词：第一性原理SNO稀土元素
4H-SiC材料p型掺杂的电子结构第一性原理研究
2017年
应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明:B、Al、Ga元素掺杂后,体系都发生了晶格畸变,能带都呈现出间接带隙特征,禁带宽度减小,费米能级穿越了价带,体现出p型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成共价键的共价性减弱,离子性增强,掺杂体系的稳定性下降.
彭彩云王艳辉张航张晓旭张丽丽
关键词：4H-SIC第一性原理电子结构
Y掺杂BaTiO_3的电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：1
2016年
利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Y掺杂Ba Ti O3的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂Y元素后,体系的禁带宽度增大,能态密度向低能方向移动,费米能级进入导带,体现出n型半导体的特征,改善了Ba Ti O3的导电性.在光学性质上,无入射光情况下的纯Ba Ti O3静态介电常数值为4.69,掺杂后静态介电常数改变比较大,尤其是高浓度掺杂后远远大于纯Ba Ti O3,这意味着其可能是一种新的介电材料.掺杂后,体系的能量损失峰明显向低能区移动,随着掺杂浓度的增大,能量损失强度也有所增加.
彭彩云马梅马兰张航张文蕾容婧婧钱尉张丽丽
关键词：BATIO3第一性原理态密度介电函数
Co掺杂BaTiO_3的电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：1
2016年
基于第一性原理密度泛函理论和剪刀近似操作计算分析了CoxBa1-xTiO_3(x=0,0.125,0.25,0.5)的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明:随着Co掺杂量的增加,Ba Ti O_3带隙发生变化,能带结构类型由间接跃迁变为直接跃迁,费米能级穿过价带,体现了p型半导体特征,静介电常数变大,反射率有了很大程度的变化,静折射率变化较大.
容婧婧张文蕾彭彩云马梅马兰张航钱尉张丽丽
关键词：第一性原理BATIO3能态密度光学性质
N、Hf单掺和共掺ZnO电子结构的第一性原理计算被引量：1
2015年
基于第一性原理密度泛函理论,计算分析了纯ZnO,N、Hf单掺和共掺后ZnO体系的晶格常数、能带结构和态密度.计算结果表明:单掺时较纯ZnO体系的体积呈增大趋势,共掺时比N单掺略大;带隙宽度也呈现类似变化.此4种体系相比,N、Hf共掺的ZnO具有相对稳定的结构,相对较窄的带隙,与Hf单掺相比较弱的n型体系.
张文蕾马梅张航彭彩云容婧婧张晋鲁张丽丽
关键词：第一性原理晶格常数能态密度
Eu、N掺杂锐钛矿相TiO_2电子结构及光学性能的第一性原理研究被引量：2
2015年
利用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2及TiO_2掺杂N、Eu元素后的电子能带结构、态密度和光学性质.基于计算结果的分析发现：随着N、Eu元素的掺杂,TiO_2的能带结构发生了较大的变化,带隙宽度减小,产生杂质能级,费米能级越过价带,显现出明显的p型半导体特征;纯TiO_2在2.127 e V附近时,有吸收谱的出现,因此其对可见光吸收的能力很微弱;N元素掺杂后,体系在0.937e V附近有吸收谱的出现;Eu元素掺杂后,体系在1.64～3.19 e V（对应波长为390～770 nm）的可见光区域内,出现吸收峰,有效地改善了锐钛矿相TiO_2晶体对可见光的响应.
马梅张文蕾彭彩云张航张晓旭夏桐张晋鲁张丽丽
关键词：第一性原理电子能带结构态密度光学性质
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