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张泰隆

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中南大学资源加工与生物工程学院更多>>
发文基金：国家大学生创新性实验计划项目国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇光照
  • 1篇光照条件
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光性能
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性能

机构

  • 1篇中南大学

作者

  • 1篇宋晓岚
  • 1篇喻振兴
  • 1篇程蕾
  • 1篇吴长荣
  • 1篇邓大宝
  • 1篇张泰隆

传媒

  • 1篇中南大学学报...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
n型多孔硅的制备及其光致发光性能被引量：1
2010年
采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅（n-PS）;在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜（SEM）测试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n-PS的形成、结构形貌和光致发光性能（PL）的影响。研究结果表明,通过光照,能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n-PS,在约600 nm处产生较强荧光峰;随腐蚀时间、HF含量和电流密度增加,PL峰位先发生蓝移,而后又出现红移;PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势,分别在腐蚀时间为20 min、HF含量为6%和电流密度为60 mA/cm2时峰强出现极大值;而提高掺杂含量,PL性能降低。
宋晓岚喻振兴程蕾吴长荣张泰隆邓大宝
关键词：光照条件光致发光性能
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