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刘道森

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：内蒙古工业大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇应变场
  • 2篇透射电子显微...
  • 2篇高分辨透射电...
  • 1篇形貌
  • 1篇微裂纹
  • 1篇位错
  • 1篇极值
  • 1篇极值点
  • 1篇硅

机构

  • 2篇内蒙古工业大...

作者

  • 2篇赵春旺
  • 2篇刘道森
  • 1篇董照实

传媒

  • 1篇内蒙古工业大...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
单晶硅位错纳观应变场的极值点定位分析
2011年
本文采用了具有次纳米精度的纳观应变场测量方法——极值点定位,在纳米尺度测定了单晶硅位错应变场,给出了位错芯周围数纳米区域的εxx、εyy、εxy全场应变分布图。位错芯周围是应变集中区域,位错芯前方是拉应变,位错芯后方是压应变。将应变测量结果与Peierls-Nabarro位错模型进行了对比,结果证实Peierls-Nabarro位错模型能够在纳米尺度准确描述单晶硅位错的应变场。
董照实赵春旺刘道森
关键词：位错高分辨透射电子显微镜硅
单晶硅微裂纹形貌及应变场的纳观实验研究
本文使用高分辨透射电子显微镜观察了单晶硅中一个纳米级微裂纹,采用几何相位分析和数值云纹研究了裂尖区域的变形场。在约18纳米的尺度分析了微裂纹的晶格结构,经过仔细的观察,发现大部分微裂纹区域的晶格结构是规则的、具有良好周期...
刘道森赵春旺
关键词：微裂纹高分辨透射电子显微镜
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