刘善群
- 作品数：13 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 用于压电单晶薄膜晶圆制备的键合面清洗技术研究
- 2024年
- 高性能薄膜声表面波滤波器对压电单晶薄膜晶圆键合面的洁净度提出了严苛的要求。目前采用的常规清洗技术对因离子注入后而残留的大量颗粒等污染物的去除效率低,导致键合晶圆存在较多气泡或者空洞,因此提出了一种采用硫酸与过氧化氢混合溶液(SPM)清洗和新型复合清洗液刷洗清洗技术的两步清洗法。采用此工艺后,晶圆表面的颗粒数由离子注入后的148000降到23,有效去除了晶圆键合面沾污、颗粒等污染物,显著提高了键合晶圆的质量。该清洗技术已成功应用于压电单晶薄膜晶圆LTOI材料的制备。
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- 关键词：清洗技术离子注入
- SAW陀螺新型接收电极
- 2011年
- 该文在理论上分析了声表面波(SAW)陀螺中两列相向传播SAW形成的驻波在哥氏力作用下的相位分布及传播规律,设计出一种新型的接收电极。此电极能将陀螺效应激发的表面波同种电荷积累到一起,改进了原有电极中同根电极上正负相互抵消的缺点,增强了由陀螺效应激发出SAW的接收效率,本结果可对SAW陀螺的设计提供相关参考。
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- 关键词：电极驻波
- 微声薄膜耦合谐振滤波器的仿真与设计被引量：1
- 2012年
- 基于Mason模型,建立了微声薄膜耦合谐振滤波器的等效电路,实现了滤波器的快速仿真设计。将耦合谐振滤波器与梯形结构微声薄膜滤波器级联,改善了滤波器的矩形度、带外抑制等特性,并通过优化设计,提高了级联滤波器的相位线性度。
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- 一种化学机械抛光液和一种具有空腔压电单晶复合衬底的制备方法
- 本发明涉及一种化学机械抛光液和一种具有空腔压电单晶复合衬底的制备方法，针对现有技术中对硅酸镓镧晶圆表面抛光处理无法满足室温键合工艺要求的问题，采用酸性的二氧化铈抛光液，能够做到表面损伤小，对硅酸镓镧晶体的化学腐蚀速率也更...
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- 基于剥离工艺的晶圆材料表面形貌表征
- 2015年
- 压电晶圆表面形貌特征参数是影响光刻剥离工艺及器件批生产成品的关键技术基础。基于声表面波(SAW)器件剥离工艺,该文提出并量化了晶圆材料表面形貌表征参数体系:翘曲度(BOW)、平坦度(GBIR)、小区平坦度(SBIR)、小区平坦度合格率(PLTV)等,并给出了晶圆材料表面形貌表征参数的测试方法及对光刻工艺参数的影响。
- 刘善群喻卫兵赵雪梅陶玲陆川
- 关键词：表面形貌平坦度
- 高频声表面波器件用压电晶圆清洗技术研究
- 2013年
- 论述了低浓度碱性过氧化氢清洗液兆声清洗钽酸锂、铌酸锂和水晶等压电晶圆的工艺技术。在保持压电晶圆特性的前提下,该技术可有效去除晶圆表面小于0.2μm的附着颗粒,使其表面洁净度满足亚微米线宽高频声表面波(SAW)器件生产要求,同时降低了化学品、去离子水的消耗量及对环境的污染。
- 刘善群汤旭东喻卫兵陶玲伍平刘晓莉陆川赵雪梅
- 关键词：兆声清洗
- 一种压电单晶薄膜复合材料及其制备方法
- 本发明公开了一种压电单晶薄膜复合材料及其制备方法，压电单晶薄膜复合材料包括衬底基板层和压电单晶薄膜层，衬底基板层由尖晶石构成。尖晶石基板通过掺杂以调节尖晶石基板的频率温度系数使之能够补偿压电材料的频率温度系数。在衬底基板...
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- FBAR用氮化铝压电薄膜研究被引量：4
- 2015年
- 介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100^+100 MPa及-150^+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。
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- 关键词：膜厚均匀性薄膜应力
- 一种单晶复合薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了一种单晶复合薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将功能单晶晶圆和衬底基板键合起来形成键合体；步骤2：通过晶圆减薄工艺对功能单晶晶圆的厚度进行降低；步骤3：对键合体中的功能单晶晶圆的一侧表面进行离子注入，...
- 陈哲明丁雨憧石自彬马晋毅龙勇刘善群 邹少红 肖梦涵 唐景黎 程星
- 晶圆探针测试系统校准
- 2013年
- 阐述了消除探针测试系统误差的方法,通过分析校准原理和计算校准模型,提出了把已知的校准位放在校准基片上,通过修改网络分析仪(VNA)的校准位和信号接收端口,利用探针台的移动和探针与校准位的接触提取和反馈信号,修正系统误差。
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