陈学梅
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：合肥师范学院物理与电子工程系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金安徽省人才开发基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Na掺杂量对ZnO薄膜AFM图像多重分形谱的影响被引量：1
- 2010年
- 用溶胶-凝胶法在Si(111)基片上制备Na掺杂ZnO薄膜,利用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌,采用多重分形理论定量表征薄膜的AFM图像。结果显示:随着Na含量的增加,薄膜平均颗粒尺寸逐渐增大,表面RMS粗糙度从7.4 nm增大到44.4 nm,分形谱宽Δα从0.059增大到0.200,说明薄膜表面高度分布不均匀程度逐渐增大;所有样品的Δf值均大于零,表明薄膜表面沉积于最高峰的原子数多于最低谷的原子数。
- 吕建国陈学梅朱剑博黄凯宋学萍孙兆奇
- 关键词：AFM粗糙度
- Na掺杂ZnO薄膜的表面形貌及其光学性质被引量：1
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶技术制备不同Na掺杂ZnO薄膜,用XRD、拉曼光谱仪、AFM、SEM和紫外可见分光光度计等表征方法研究了Na掺杂量对ZnO薄膜的表面形貌和光学性质的影响。XRD和Raman光谱分析表明:8.0 at%Na掺杂ZnO薄膜具有最佳c轴择优取向,内部残余张应力最大;表面形貌研究结果显示:薄膜的平均粒径和粗糙度均随Na含量的增加而增大。薄膜在可见光范围内的平均透射率大于80%,随着Na含量从0增加到10at%,薄膜的光学带宽由3.283 eV增大到3.305 eV。
- 吕建国陈学梅朱剑博黄凯宋学萍孙兆奇
- 关键词：拉曼光谱表面形貌透射谱
- ZnO基过渡金属掺杂的磁性来源
- 2010年
- 由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的磁性起源的三种理论解释,并且调研了几种不同的TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。
- 陈学梅
- 关键词：稀磁半导体ZNO薄膜过渡金属掺杂
- Na掺杂ZnO薄膜光诱导亲水性的转化(英文)
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶技术在Si(111)和石英基片上制备8%(摩尔分数)Na掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电镜和接触角测试仪测试薄膜的微结构、表面形貌和表面接触角。结果表明:所有薄膜均具有较好的c轴择优取向,表面由近六边形棒状颗粒构成。随着退火温度升高,薄膜表面接触角由95°增大到106°。通过对薄膜交替进行紫外光照和黑暗放置(或热处理),可以实现其表面疏水与超亲水性之间的可逆转化,光诱导可逆转化效率随退火温度升高而增大。
- 吕建国黄凯陈学梅朱剑博孟凡明宋学萍孙兆奇
- 关键词：氧化锌薄膜溶胶-凝胶亲水性
