谷晓
- 作品数：6 被引量：15H指数：2
- 供职机构：天津工业大学电子信息与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景被引量：2
- 2010年
- 在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向。
- 郭维廉牛萍娟李晓云刘宏伟谷晓毛陆虹张世林陈燕王伟
- 关键词：负阻器件逻辑电路设计
- 基于CMOS工艺的Si-LED器件设计与测试
- 2011年
- 采用CSMC(华润上华)0.5μmCMOS工艺设计和制备了正向偏置和反向偏置情况下发出两种不同种类光的Si-LED。在室温条件下,对器件进行了初步测试,正向导通电压为0.7V,反向击穿电压为7.5V。器件的结构采用P-base层与n+区交叠,形成Si-pn结LED。观察了Si-LED发光显微照片及实际器件的版图,并对器件的发光进行了光谱特性测量。Si-LED在正向偏置时,发出红外光,其发光峰值在1125nm;Si-LED在反向偏置时,发出可见光,其发光峰值在725nm。
- 谷晓牛萍娟李晓云郭维廉
- 关键词：CMOS工艺反向偏置
- 利用共振隧穿器件制作太赫兹波源
- 2010年
- 太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工艺和器件性能,作为太赫兹技术领域的研究人员选择太赫兹波源器件的参考。
- 郭维廉牛萍娟李晓云谷晓何庆国冯志红田爱华张世林毛陆虹
- 关键词：太赫兹波共振隧穿器件振荡源毫米波
- 共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点被引量：2
- 2009年
- 在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。
- 郭维廉牛萍娟李晓云谷晓张世林梁惠来毛陆虹
- 关键词：共振隧穿器件
- 标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED的设计与研制被引量：6
- 2012年
- 采用无锡华润上华(CSMC)0.5μm标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制。测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10 mA偏置电流、3 V调制电压下,可获得1 nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域具有一定的应用前景。
- 韩磊张世林郭维廉毛陆虹谢生张兴杰谷晓
- 关键词：发光器件光电集成
- InP基低阈值单向双稳态工作微环激光器的设计与制备被引量：5
- 2011年
- 由于半导体微环激光器(SML)具有波长转换、可调谐和光学双稳态等特点,因此成为全光逻辑和全光存储领域的研究热点。在分析背散射耦合系数与SML工作区域(双向连续波、双向交替振荡和单向双稳态)的基础上,优化设计了环形谐振腔的结构参数和工艺流程,研制出一种低阈值、直接进入单向双稳态工作的InP基微环激光器。测试结果表明,激光器的中心激射波长为1569.65 nm,阈值电流为56 mA,当驱动电流超过阈值电流后,器件可不经过双向工作区直接进入单向双稳态,降低了双稳态工作的电流和功耗,非常适合用作光随机存储器单元。
- 谢生郭维廉李献杰齐利芳于欣于晋龙陈燕毛陆虹张世林谷晓吴波罗俊
- 关键词：激光器光学微腔低阈值磷化铟
