您的位置: 专家智库 > >

董雁飞

作品数:6 被引量:41H指数:3
供职机构:国防科学技术大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:交通运输工程电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇交通运输工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电磁
  • 2篇电磁防护
  • 2篇强电
  • 2篇二氧化钒
  • 1篇调谐
  • 1篇屏蔽效能
  • 1篇去嵌入
  • 1篇校准
  • 1篇校准算法
  • 1篇谐振特性
  • 1篇可调
  • 1篇加载
  • 1篇二极管
  • 1篇防护技术
  • 1篇仿真
  • 1篇高功率微波
  • 1篇PIN二极管
  • 1篇参数测量
  • 1篇传输损耗
  • 1篇去嵌入法

机构

  • 6篇国防科学技术...
  • 3篇中国人民解放...

作者

  • 6篇刘培国
  • 6篇董雁飞
  • 4篇刘晨曦
  • 4篇易波
  • 3篇王为
  • 2篇涂灏
  • 2篇王轲
  • 1篇杨成
  • 1篇李岩
  • 1篇谭剑锋

传媒

  • 4篇中国舰船研究
  • 1篇微波学报
  • 1篇2016年全...

年份

  • 2篇2016
  • 4篇2015
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种基于二氧化钒的新型能量选择表面被引量:4
2016年
在温度或强电磁场的作用下,二氧化钒(VO_2,vanadium dioxide)材料会产生相变,电导率发生显著变化。本文采用二氧化钒薄膜替换典型能量选择表面(ESS,Energy Selective Surfaces)中的半导体器件,得到了基于二氧化钒的新型能量选择表面结构。当正常信号入射时,二氧化钒薄膜的电导率较低,信号几乎无损耗的透过ESS;强电磁波入射时,二氧化钒薄膜的电导率增大,从而起到屏蔽作用。通过CST仿真,进一步探讨了周期单元宽度、金属单元长度和宽度等三个因素对于新型ESS的插入损耗和屏蔽效能的影响。
刘翰青刘培国王轲涂灏董雁飞
关键词:二氧化钒电磁防护
一种基于二氧化钒的新型能量选择表面
在温度或强电磁场的作用下,二氧化钒(VO2,vanadium dioxide)材料会产生相变,电导率发生显著变化。本文采用二氧化钒薄膜替换典型能量选择表面(ESS,Energy Selective Surfaces)中的...
刘翰青刘培国王轲涂灏董雁飞
关键词:二氧化钒电磁防护
文献传递
一种加载集总器件的可调三维周期结构
2015年
结合实际周期结构单元的特点,从三维周期结构出发,推导三维周期结构电磁波传输原理。运用商业软件数值仿真计算方法,研究三维周期结构单元尺寸、介质层厚度对其频响特性的影响;从电磁波入射角度和集总器件电抗值出发,对不同参数进行仿真计算,并比较不同参数对谐振特性的影响。实现第1谐振点稳定,第2谐振点可调谐的谐振特性。此外,将三维周期结构加入到天线设计中,研究该结构对天线辐射特性的影响,发现该三维结构可有效改善天线的方向性。
董雁飞王为刘培国易波刘晨曦
关键词:仿真谐振特性调谐
电磁能量选择表面结构设计与仿真分析被引量:12
2015年
近几年来高功率微波(HPM)武器技术发展迅猛,其产生的强电磁脉冲环境能够对武器装备构成严重威胁,因此,研究武器装备的强电磁防护具有重要的意义。针对强电磁防护与信号收发兼容的"前门"防护难题进行研究,对能量选择强电磁防护机制进行分析。设计并仿真典型压控导电的单层能量选择表面和双层非对称的能量选择表面结构及其工作性能,对影响插入损耗和防护效能的参数进行研究。仿真结果表明:设计出的能量选择表面(ESS)结构在L波段具有很好的防护性能,透波模式传输损耗小于0.5dB,防护模式屏蔽效能大于20dB,具有能量低通特性,基本满足电子设备的"前门"防护需求,同时,双层非对称结构可以带来防护性能的改善。
刘晨曦刘培国王为易波董雁飞
关键词:屏蔽效能传输损耗
强电磁防护技术研究进展被引量:28
2015年
高功率微波武器是现代战场上极具杀伤性的攻击手段。针对现代武器装备的强电磁防护问题,通过介绍高功率微波武器及防护研究发展进程,结合传统电磁防护方法,分析电磁自适应防护、微波加固和硬件演化等前沿技术手段,从电路防护和空间防护的角度出发,论述射频电磁防护单元、皮秒级电磁脉冲抑制器件、频率选择表面等强电磁防护器件和装置的研究成果以及强电磁防护的新材料,并从系统综合防护、设备潜在失效性、强电磁防护标准3个方面对强电磁防护技术的发展给出相应的建议。
刘培国刘晨曦谭剑锋董雁飞易波
关键词:高功率微波
基于改进TRL校准算法的二极管参数测量被引量:1
2015年
加载二极管的频率选择表面和能量选择表面(以下统称"自激励表面")具有自适应的防护特征,能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节,准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法,针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点,改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法;测量几种不同PIN型号的二极管,通过对比PIN参数手册与测试结果,验证了测试方法的有效性。
易波王为刘培国杨成董雁飞刘晨曦李岩
关键词:去嵌入法
共1页<1>
聚类工具0