胡云斌
- 作品数：11 被引量：19H指数：3
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：模拟集成电路重点实验室基金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种缓冲器阻抗动态调整的LDO被引量：2
- 2017年
- 提出了一种缓冲器阻抗动态调整的LDO结构。采用并联负反馈和阻抗动态调整技术,显著降低了缓冲级的输出阻抗,没有增加额外的静态电流,功率管栅极极点始终远在单位增益带宽之外,对稳定性没有影响。该缓冲级增大了功率管栅极的摆率,提高了LDO瞬态响应性能。基于TSMC 0.18μm 3.3VCMOS工艺进行设计,该LDO的输出电压为1.8V,压差电压为0.2V,最大输出电流为100mA。仿真结果显示,LDO的静态电流只有5μA,当负载电流在10ns内从0mA跳变到100mA时,输出欠冲和过冲电压分别为88.2mV和34.8mV。
- 胡云斌胡永贵周前能
- 关键词：低压差线性稳压器
- 基于高压BCD工艺高效降压型DC-DC转换器的研究与设计
- 随着消费者对电子产品的功能、待机时长等的要求越来越严苛,电源管理芯片朝着全负载范围内高转换效率、快速瞬态响应能力的方向发展。DC-DC开关电源是重中之重,一直是研究的热点。基于此,本文研究与设计了一款具有宽输入输出范围、...
- 胡云斌
- 文献传递
- 一种高PSRR无电阻带隙基准源被引量：3
- 2017年
- 设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源的温度系数。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,在3 V工作电压下,在低频下带隙基准源的PSRR为-65 d B,在-25℃~125℃温度范围内的温度系数为3.72×10^(-5)/℃。
- 秦少宏胡永贵胡云斌青旭东周勇钟黎
- 关键词：反馈环路电源抑制比
- 一种0.6V CMOS基准电压源的设计
- 2017年
- 基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示:电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0.6~2.0V范围内变化,基准输出电压仅变化了1.75mV;在0.6V电源电压下,-20℃~125℃温度范围内,温度系数为2.8×10^(-5)/℃,电源抑制比为52.47dB@10kHz,整个电路的功耗仅为12μW。
- 胡云斌胡永贵周勇顾宇晴陈振中
- 关键词：CMOS
- 一种全MOS型超低功耗基准电压源设计被引量：1
- 2017年
- 在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃~125℃,该基准源的温度系数为2.67×10^(-5)/℃,电源抑制比为-45.42dB@100Hz,功耗为105.96nW。
- 周勇胡刚毅沈晓峰胡云斌顾宇晴陈遐迩
- 关键词：超低功耗低温度系数
- 一种CMOS超高速主从式采样/保持电路被引量：2
- 2017年
- 基于65nm CMOS工艺,设计了一种新型的CMOS主从式采样/保持电路。采用全差分开环主从式的双通道采样结构,提高了电路的线性度。采用负电压产生技术,解决了纳米级工艺下电源电压低的问题。采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真分析。仿真结果显示,在1.9V电源电压、相干采样下,当输入频率为1.247 5GHz,峰-峰值为0.4V的正弦波信号,采样率为2.5GS/s,负载为0.8pF时,电路的无杂散动态范围(SFDR)为78.31dB,总谐波失真(THD)为-75.69dB,有效位为11.51位,可用于超高速A/D转换器中。
- 陈振中王永禄胡蓉彬陈繁胡云斌
- 关键词：CMOS主从式超高速A/D转换器
- 一种有源零点补偿的片上LDO设计被引量：3
- 2017年
- 提出了一种新颖的有源零点补偿LDO结构,实现了LDO在全负载范围内的稳定,1~10 MHz范围内的电源抑制比提高了10dB。采用欠冲电压减小技术,显著减小了输出欠冲电压,提高了瞬态响应性能。基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了输出电压为1V、压差电压为200mV、最大输出电流为100mA的无片外电容LDO。仿真结果显示,空载时LDO的相位裕度为64.3°,最大过冲和欠冲电压分别为52mV和47mV,满载时LDO的电源抑制比为-66dB@10kHz。
- 胡云斌周勇胡永贵顾宇晴
- 关键词：低压差线性稳压器无片外电容电源抑制比
- 高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源
- 2017年
- 在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在0.9~3V变化时,该电压源均可正常工作,输出电压约为558mV。1.2V电源电压下,在-55℃~100℃温度范围内,该电压源的温度系数为2.3×10-5/℃,低频电源抑制比为-81dB,总功耗约为127nW。
- 周勇胡云斌胡刚毅沈晓峰顾宇晴倪亚波
- 关键词：低温度系数超低功耗
- 一种高温段曲率补偿基准电压源的设计被引量：1
- 2016年
- 在传统电流型带隙基准源的基础上,设计了一种高温段曲率补偿基准电压源。利用工作在亚阈值区的PMOS晶体管的漏电流与栅源电压的指数关系产生非线性补偿电流,对温度特性曲线的高温段进行补偿。采用0.18μm标准CMOS工艺对电路进行设计与仿真,结果显示输出基准电压为600mV,1kHz下的电源电压抑制比为-55.5dB,在-40℃~125℃温度范围内的温度系数为2.26×10^(-6)/℃。
- 顾宇晴李婷胡云斌王小力
- 关键词：带隙基准曲率补偿温度系数
- 一种宽频带CMOS高速锁相环被引量：5
- 2018年
- 基于55nm CMOS工艺,设计了一种宽频带高速锁相环(PLL)。PLL中的压控振荡器(VCO)采用8位开关电容阵列和变容管阵列,实现了对VCO振荡频率的调节和不同频段之间的切换。VCO采用分段式结构,实现了8.7~12.5GHz的宽频率范围。分段结构中,每个频段的频率增益K_(vco)较低,实现了良好的相位噪声性能。仿真结果表明,在1.2V电源电压下,该PLL的最高工作频率为12.5GHz,锁定时间为小于2.5μs,相位噪声为-106dBc·Hz^(-1)@1 MHz。
- 王兰胡刚毅张瑞涛胡云斌
- 关键词：锁相环压控振荡器开关电容阵列
