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张志超

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇铁磁
  • 3篇铁磁薄膜
  • 3篇铁磁性
  • 3篇铁磁性能
  • 3篇铁电
  • 3篇磁电
  • 3篇磁性
  • 2篇铁磁层
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇金薄膜
  • 2篇合金
  • 2篇合金薄膜
  • 2篇存储器
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇低功耗
  • 1篇电极
  • 1篇氧化铪
  • 1篇三明治
  • 1篇离子束

机构

  • 6篇天津理工大学

作者

  • 6篇张志超
  • 5篇王芳
  • 5篇张楷亮
  • 3篇韩叶梅
  • 3篇曹荣荣
  • 2篇弭伟
  • 1篇袁育杰
  • 1篇赵金石
  • 1篇李毅
  • 1篇冯玉林

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件
一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件，在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构，具有压电效应的铁电薄膜化学结构式为0.5Ba(Zr<Sub>0.2</S...
韩叶梅张楷亮王芳曹荣荣张志超
文献传递
一种二维纳米片层MoS<Sub>2</Sub>垂直结构阻变器件
一种二维纳米片层MoS<Sub>2</Sub>垂直结构阻变器件，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO<Sub>2</Sub>保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米...
张楷亮张志超王芳冯玉林方明旭袁育杰赵金石
文献传递
一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元及其制备方法
一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元，由双层铁电薄膜和铁磁薄膜依次沉积在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si复合衬底上构成层状结构组成，双层铁电薄膜自下而上分别为具有(111)取向的钙钛矿结构的0.3Ba(Zr...
韩叶梅王芳张楷亮弭伟曹荣荣张志超
文献传递
一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器
一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其阻变层为氮化硼介电薄膜和硫化钼薄膜构成的三明治结构。本发明的优点是：阻变层采用氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构，相比于单独氮化硼或其他氮化物介电层的阻...
张楷亮魏俊青王芳李毅张志超吴仕剑
文献传递
一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元及其制备方法
一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元，由双层铁电薄膜和铁磁薄膜依次沉积在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si复合衬底上构成层状结构组成，双层铁电薄膜自下而上分别为具有(111)取向的钙钛矿结构的0.3Ba(Zr...
韩叶梅王芳张楷亮弭伟曹荣荣张志超
文献传递
基于氧化铪阻变存储器性能及阻变机理分析
目前主流的Flash存储器已经达到了其尺寸缩减的极限，为解决这一问题提出了很多新型非易失性存储器，在众多新型非易失性存储器中，阻变存储器（Resistive Random Access Memory，RRAM）具有数据存...
张志超
关键词：氧化铪低功耗
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