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文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇氧化镓
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  • 2篇下表面
  • 2篇肖特基
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  • 2篇量子级联激光...
  • 2篇激光
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  • 2篇THZ
  • 1篇单晶
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电极

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 5篇孙保瑞
  • 3篇卜爱民
  • 3篇吕元杰
  • 3篇冯志红
  • 2篇牛晨亮
  • 2篇夏英杰
  • 2篇王健
  • 2篇周国
  • 2篇韩颖
  • 2篇王建峰
  • 2篇师巨亮
  • 1篇李保第
  • 1篇胡泽先

传媒

  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2015
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
共振声子THz QCL有源区结构设计
2011年
利用Airy函数代换与传输矩阵方法精确计算了有外加偏压下电子在共振声子太赫兹量子级联激光器有源区单个周期内的透射系数与波函数,得到了不同偏压下的电子波函数分布以及准束缚态能级位置与外加偏压的关系曲线。在仿真计算的基础上设计了一种共振声子太赫兹量子级联激光器的有源区结构。计算结果表明,对于设计的结构,当单个周期两端的外加偏压为45 mV时达到太赫兹工作点。此时,发射区内E3能级和E2能级对应的波函数能够交叠,相应发射波属于太赫兹频段,波长为98.0μm,频率为3.05 THz。电子在弛豫区内E2和E1能级间跃迁发出的能量为36.0 meV,与GaAs的纵向光学声子能量(36 meV)相同,有利于粒子数反转。
牛晨亮王健王建峰师巨亮韩颖夏英杰孙保瑞
关键词:粒子数反转
太赫兹量子级联激光器注入区结构研究被引量:1
2015年
主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性。通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构。模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大。对于含有此注入区的QCL结构,模拟了在不同偏压下,电子波函数的空间分布和能级位置,进而模拟出该模型的隧穿点。计算结果表明,当每个周期两端的外加偏压为45 mV时达到THz工作点,同时满足周期间的电子隧穿条件。之后通过器件工艺,把外延片制作成实验样品。电流电压(I-V)测试曲线表明,在周期间偏压为50 mV时发生隧穿,这和理论计算的周期偏压为45 mV十分接近。
王健牛晨亮王建峰师巨亮韩颖夏英杰孙保瑞
关键词:隧穿透射率波函数能级
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该制备方法,包括:在n型氧化镓沟道层、源电极和金属掩膜的表面制备光刻胶,随后对光刻胶进行烘烤和回流处理,形成光刻胶斜面;在光刻胶斜面上垂直注入元素,形...
刘宏宇吕元杰孙保瑞王元刚李保第胡泽先韩仕达卜爱民冯志红
肖特基二极管制备方法及肖特基二极管
本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括:利用高温热氧化工艺对N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底进行氧化处理,得到形成在N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底上表面的第一N<Sup>‑</Sup>...
吕元杰王元刚刘宏宇秦哲李保弟孙保瑞周国卜爱民冯志红
肖特基二极管制备方法及肖特基二极管
本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括:利用高温热氧化工艺对目标N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底进行氧化处理,得到形成在目标N<Sup>+</Sup>型氧化镓衬底上表面的第一N<Sup>‑</...
吕元杰王元刚刘宏宇秦哲李保弟孙保瑞周国卜爱民冯志红
共1页<1>
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