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姬鹏飞

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：平顶山学院更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 10篇溅射
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 8篇异质结
  • 8篇磁控溅射技术
  • 6篇SI异质结
  • 6篇CDS
  • 5篇纳米
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅
  • 4篇单晶硅片
  • 4篇重复率
  • 4篇纳米CDS
  • 4篇硅片
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 2篇导体
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁波

机构

  • 21篇平顶山学院

作者

  • 21篇姬鹏飞
  • 16篇周丰群
  • 16篇宋月丽
  • 16篇李勇
  • 15篇田明丽
  • 13篇袁书卿
  • 4篇杜豪杰
  • 3篇万明理
  • 3篇张芳
  • 3篇何金娜
  • 2篇代克杰
  • 2篇卫亚博
  • 2篇李阔湖
  • 2篇孙小军
  • 2篇李红
  • 1篇薛亚许
  • 1篇叶予光
  • 1篇高磊
  • 1篇卞和营
  • 1篇王雪晴

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2016
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纳米CdS/Si异质结的制备方法
本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，该方法利用磁控溅射技术和溶剂热法，首先以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si，然后利用溶剂热法腐蚀...
李勇姬鹏飞宋月丽周丰群田明丽袁书卿
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基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法
本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，首先以多孔多晶硅模板为衬底，利用磁控溅射技术在多孔多晶硅模板的表面预沉积CdS薄膜；然后再利用化学水浴法沉积一层Cd...
李勇姬鹏飞周丰群宋月丽田明丽袁书卿
文献传递
一种带有温度检测装置的两级缓冲器
本实用新型涉及缓冲器技术领域，尤其涉及一种带有温度检测装置的两级缓冲器，包括外壳、设置在外壳上的温度显示器、设置在外壳上端部的首级缓冲器、以及设置在首级缓冲器右端部的末级缓冲器，本实用新型通过温度传感器能及时反映首级缓冲...
杜豪杰姬鹏飞李红王雪晴叶予光张晓鹏薛亚许
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电气部件的保护装置
本实用新型涉及电气技术领域，具体涉及一种电气部件的保护装置，包括电气外壳和保护罩，所述电气外壳通过卡扣与保护罩卡接，所述保护罩的内部安装有电气部件，所述保护罩的内腔右端设置有出风口，所述出风口的左端安装有散热装置，且散热...
杜豪杰何丹丹李红姬鹏飞张晓朋
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在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法
本发明属于半导体异质结器件技术领域，特别是涉及一种在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，该方法首先以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构Zn/Cd/Si...
李勇张芳李鹏飞姬鹏飞宋月丽周丰群田明丽
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一种界面Cd嵌入CdS/Si异质结的制备方法
本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种界面Cd嵌入CdS/Si异质结的制备方法，该方法首先以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构Cd/Si...
周丰群姬鹏飞宋月丽李勇田明丽袁书卿
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一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法
本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，该方法首先以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构IT...
姬鹏飞李勇宋月丽周丰群袁书卿田明丽
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某种元素生成某种核素的反应截面的测量方法及系统
本发明属于核数据测量技术领域，具体涉及一种某种元素生成某种核素的反应截面的测量方法及系统，该测量方法首先制备样品并对样品进行中子辐照；然后测量中子辐照后样品中生成相同核素的特征γ射线全能峰总计数；最后利用某种元素生成某种...
宋月丽周丰群袁书卿郝亚娟李勇姬鹏飞田明丽
便携式LIBS成分分析仪
本实用新型涉及一种便携式LIBS成分分析仪；该分析仪含有通过电缆连接在一起的主机箱和手持采集头，主机箱的箱体内设有控制电路和激光器的控制模块，手持采集头的机壳内设置有激光器的激光头﹑聚焦透镜﹑光采集器﹑光谱仪﹑活动平台﹑...
李阔湖姬鹏飞卫亚博房坤代克杰王宇尧杜豪杰赵换丽
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一种远红外域偏振不敏感全介质超表面结构及制作方法
本发明属于微纳光电器件电磁波调控及传感检测技术领域，特别是涉及一种用于远红外域折射率传感器的偏振不敏感全介质超表面结构及制作方法，该超表面包括基底和位于基底表面的呈二维周期性分布的同心双闭合介质谐振环单元；所述基底和同心...
田明丽何金娜姬鹏飞万明理李勇宋月丽周丰群袁书卿
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