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刘宝生

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇脉冲功率
  • 1篇脉冲功率技术
  • 1篇开关
  • 1篇极限值
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体开关
  • 1篇RSD
  • 1篇DI/DT

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇周郁明
  • 1篇余岳辉
  • 1篇梁琳
  • 1篇刘宝生

传媒

  • 1篇通信电源技术

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量极限值被引量：1
2006年
文章由等离子体双极漂移方程和临界预充电荷条件出发,得出高速大功率半导体开关RSD的di/dt耐量表达式。从外电路和器件结构本身两方面分析了RSD的di/dt耐量的影响因素,并提出了改善di/dt耐量的措施,测试结果证明了理论分析的正确性。
刘宝生余岳辉梁琳周郁明
关键词：脉冲功率技术RSD半导体开关
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共1页<1>
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