陈湘香
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：上海应用技术学院材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学化学工程更多>>
- Cu-W复合电沉积工艺和镀层电弧侵蚀性能研究被引量：3
- 2009年
- 在纯铜表面利用复合电沉积的方法形成Cu—W复合镀层，使其满足电触头材料使用性能。研究了镀液中W的质量浓度、阴极电流密度、搅拌强度和温度工艺参数对Cu-W复合镀层中微粒含量的影响，并对Cu—W电接触材料的电弧侵蚀性能进行了分析。结果表明：在最佳的复合电沉积工艺下，Cu—W的复合沉积量质量分数在17％-23％；Cu—W电接触材料在电流〈20A条件下，材料由阴极向阳极转移，电流〉20A条件下，材料的转移方向相反；电弧侵蚀后Cu—W电接触材料的表面呈现凸起、凹坑和气孔等形貌特征。
- 李广宇张晓燕李远会闫超杰朱礼兵陈湘香
- 关键词：复合电沉积电接触材料电弧侵蚀
- 位错的统计力学以及位错引起晶体的熔化理论被引量：2
- 2010年
- 在位错对详细讨论的基础上建立一个晶体熔化的理论模型。该理论预测一级相变并得出晶体熔化温度的上限。引起面心立方结构和体心立方结构熔化的位错类型是不同的,前者是偏位错引起,后者是全位错引起。计算出22种立方晶体的熔化温度接近实验得出的熔化温度。提出了偏位错熔化温度低,这应当是面心立方比体心立方熔化温度低的原因之一。
- 张晓燕陈湘香刘克家
- 关键词：位错统计力学
- 铜-钨复合镀层电沉积工艺及其性能被引量：3
- 2009年
- 采用复合电沉积的方法，通过在镀铜液中加入直径为1～3μm的钨颗粒，在纯铜表面制备了铜—钨复合镀层。研究了镀液中钨质量浓度、阴极电流密度、搅拌速率、镀液温度等工艺参数对镀层中钨质量分数的影响，测定了复合镀层的显微硬度和接触电阻。得到了复合电沉积的最优工艺为：钨质量浓度35g／L，电流密度4A／dm2，搅拌强度600r／min，温度50℃。所得铜—钨复合镀层具有合适的显微硬度（98．5—112．0HV）、稳定且较低的接触电阻及较长的电接触寿命，可以取代AgCdO触头。
- 李广宇张晓燕闫超杰朱礼兵陈湘香
- 关键词：电接触材料
- 热处理对铜基无银电接触材料微观组织与结构的影响被引量：2
- 2008年
- 探讨了固溶、时效热处理工艺对一种新型铜基电接触材料微观组织与结构的影响。结果表明,合金在固溶过程中形成Cu-Ni单相固溶体,在时效过程中产生Ni3Ti合金相,从而导致合金显微组织与结构的变化,提高材料的综合性能,获得一种高强、高导的电接触材料,满足实际生产的需求。
- 朱礼兵张晓燕李广宇阎超杰陈湘香
- 关键词：微观结构固溶处理时效处理高导电性
- 薄膜材料刃位错的求解
- 2009年
- 以弹性力学的平面应力模型求解了材料的刃位错,论证了此解可描述薄膜材料的位错。与体相的位错结果比较表明,薄膜材料的位错具有较低的应力和较低的弹性能。将本文的结果应用于位错引起薄膜熔化理论,得到了薄膜的熔点低于体相的熔点。将薄膜中存在位错情况与材料表面情况进行类比,得出材料表面的熔点也将低于体相的熔点。
- 陈湘香陈惠芬陈锟刘克家
- 关键词：位错
