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郭达禧
作品数:
2
被引量:9
H指数:2
供职机构:
西安交通大学能源与动力工程学院
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发文基金:
国家教育部博士点基金
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相关领域:
核科学技术
电子电信
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合作作者
贺朝会
西安交通大学能源与动力工程学院
席建琦
西安交通大学能源与动力工程学院
马梨
西安交通大学能源与动力工程学院
张鹏
西安交通大学能源与动力工程学院
杨涛
西安交通大学能源与动力工程学院
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微米
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SOI
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GEANT4
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超深亚微米
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NMOSFE...
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值模拟
机构
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西安交通大学
作者
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贺朝会
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郭达禧
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张国和
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臧航
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杨涛
1篇
张鹏
1篇
马梨
1篇
席建琦
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胡志良
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原子能科学技...
年份
1篇
2013
1篇
2011
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Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤
被引量:5
2013年
利用Geant4模拟了中子在碳化硅中的输运过程,计算了不同能量中子产生的位移缺陷数目,获得了14.1MeV中子产生的位移缺陷分布。研究了中子产生位移损伤过程的影响要素,分析了弹性散射与去弹过程对位移损伤产生过程的贡献,并对中子各阶段反应产生的位移缺陷分布及对总体缺陷分布的影响进行了探讨。
郭达禧
贺朝会
臧航
席建琦
马梨
杨涛
张鹏
关键词:
中子
碳化硅
GEANT4
超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟
被引量:4
2011年
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。
胡志良
贺朝会
张国和
郭达禧
关键词:
中子辐照
超深亚微米
SOI
NMOSFET
数值模拟
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