田晶晶
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西南科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 聚偶氮苯撑主链共轭聚合物光调制可逆导电特性研究
- 刘剑董明灵田晶晶李园园
- 关键词：共轭聚合物光致异构化导电光电子材料
- 偶氮共轭聚合物光电特性研究进展
- 2012年
- 芳香环或杂环通过NN双键连接形成的化合物如偶氮苯、偶氮吡咯等具有π共轭结构,此类分子有顺反两种构型,他们可以在光照条件下相互转换。分子构型转变会影响电子的共轭程度及其离域特性,因此含环结构的偶氮共轭分子具有光调制特性。反式偶氮苯分子为平面结构,顺式构型分子两个苯环有一定角度的扭转分子不在同一平面,实验和理论计算结果表明偶氮苯分子的键长、键角等受溶剂和取代基影响;光照可以实现偶氮苯分子的导电性改变,目前认为其导电性改变的原因主要是光致顺反异构而改变分子尺寸而引起。通过氮氮双键连接的杂环共轭分子能显著地降低分子的能隙,并使共轭化合物在更宽的波长范围内有强吸收,能提高太阳能光伏电池的转换效率,是理想的有机光伏材料。文章还对偶氮共轭聚合物的合成方法做了介绍,分析了含偶氮结构的共轭聚合物的光相应研究现状及其未来发展趋势。
- 刘剑田晶晶董明灵李园园
- 关键词：偶氮共轭导电光伏
- 偶氮苯侧链液晶聚合物膜快速不饱和光致取向研究
- 2011年
- 用薄膜透射率变化研究了偶氮液晶聚合物膜不同功率光照条件下的取向速度及取向稳定性,并用锥光干涉图确定了相应介晶基元的取向方向。实验结果表明介晶基元的取向速度和取向度随光照时间和光照功率增加而增加,超过一定功率阈值时,取向变得不稳定,光照时间增加而薄膜的取向度(透射率)反而降低。介晶基元的取向方向结果表明在阈值功率以上强度光照时,介晶基元发生了面内和面外两种取向。面外取向的介晶基元不稳定,在停止光照后容易发生解取向,聚合物膜的透射率降低。而面内取向的介晶基元则能稳定维持其取向状态,不会发生解取向。采用不饱和取向的方法可缩短取向时间95%,薄膜取向度提高1.3倍。4 ms的一次曝光足以使聚合物膜产生可读出、稳定的面内取向,取向的结果能保持2年不发生变化。
- 刘剑王明乐高刘德董明灵田晶晶李园园
- 关键词：偶氮苯介晶基元
- Al_2O_3/环氧树脂复合材料制备及对三相点电场的影响研究被引量：3
- 2013年
- Al2O3填充环氧树脂,并用偶联剂KH560对Al2O3进行表面改性,通过溶液混合法制备不同添加量的Al2O3/环氧树脂复合材料。通过傅立叶变换红外光谱仪、扫描电子显微镜和Aglient 4294A阻抗分析仪对Al2O3/环氧树脂复合材料的微观结构和介电性能进行测试,结果表明表面改性的Al2O3在环氧树脂基体中具有更好的分散性,同时表面改性的Al2O3制备的复合材料的介电常数增加,介电损耗降低。采用静电场仿真软件模拟爆电电源中三相点附近电场分布,结果表明随着介电常数增加,三相点电场强度具有降低的趋势。
- 田晶晶高刘德刘阳杜金梅刘剑贺红亮
- 关键词：AL2O3环氧树脂复合材料介电性能
- 聚偶氮苯撑主链共轭聚合物光调制可逆导电特性研究
- ＜正＞被称为"第四代高分子"的共轭高分子已成为当前的研究热点,碳碳单、双键交替共轭聚合物导电已有广泛研究。偶氮苯化学结构与二苯乙烯类似,然而对偶氮苯共轭导电的研究还很少。本研究合成了偶氮苯为结构单元含N=N双键的主链共轭...
- 刘剑董明灵田晶晶李园园
- 关键词：共轭聚合物光致异构化导电光电子材料
- 文献传递
- 偶氮苯介晶基元取向方式对其取向稳定性影响被引量：2
- 2011年
- 根据取向透射率变化研究了偶氮苯侧链液晶聚合物在不同光照功率条件下的取向,用锥光干涉法表征了侧链介晶基元的取向方向,并研究了升温对取向膜的稳定性影响.实验结果表明介晶基元的取向速度和取向度都随光照时间和光照功率增加而增加;超过一定阈值功率(20 mW/cm2)时,随着光照时间延长薄膜的透射率(取向度)反而降低.高功率光照使侧链介晶基元发生了面内和面外两种取向,面外取向使聚合物膜的透射率降低.面外倾斜取向的介晶基元不稳定,在取向未达到饱和时停止光照,倾斜取向的介晶基元容易发生解取向,而面内取向的介晶基元则能维持取向的状态.用不饱和取向的方法,在光照功率为20 mW/cm2时,取向时间缩短为饱和取向的1/20,薄膜的取向度提高1.3倍.4 ms的一次曝光足以使聚合物膜产生可读出、稳定的面内取向,取向的结果能保持2年不发生变化.
- 刘剑王明乐高刘德董明灵田晶晶
- 关键词：偶氮苯液晶聚合物稳定性
- 光照可逆调控侧链液晶聚合物膜的表面能被引量：1
- 2012年
- 对侧链液晶聚合物聚甲基丙烯酸(5-[4-(4-氰基偶氮苯)苯氧基]戊酯)进行溶液铸膜,用473nm线偏振光(LPL)照射使聚合物膜发生光致取向,用锥光成像的方法表征了侧链液晶聚合物的取向。取向前接触角为71.8°,取向后为86.4°;用365nm紫外光照射后,薄膜发生了解取向,解取向后接触角为72.3°。取向使膜表面能由40.1变为30.8mJ/m2,解取向后又恢复到39.8mJ/m2。表明光照能可逆调控侧链液晶聚合物表面能。
- 李园园董明灵田晶晶刘剑
- 关键词：偶氮苯光照表面能侧链液晶聚合物
