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段磊

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇低频电源
  • 3篇杂波
  • 3篇自激
  • 3篇微带
  • 3篇微带线
  • 3篇晶体管
  • 3篇测试夹具
  • 2篇GAN
  • 1篇优化设计
  • 1篇自热效应
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇GAN基HE...
  • 1篇HEMT
  • 1篇场板

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 5篇段磊
  • 3篇宋学峰
  • 1篇要志宏
  • 1篇赵红东
  • 1篇孙渤
  • 1篇冯嘉鹏

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电信技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种晶体管负载牵引测试夹具
本发明公开了一种晶体管负载牵引测试夹具，其特征在于，包括：第一电路板；第一微带线，设置于第一电路板上；栅极供电模块，设置于第一电路板上；栅极供电模块包括第一供电电路、第二供电电路、电阻和第一电感；第一供电电路的输出端与电...
孔令旭郭跃伟王鹏段磊宋学峰卢啸秦龙
文献传递
国内5G用GaN功率器件的机遇与发展被引量：1
2019年
介绍国内GaN功率器件在5G通信上的应用情况,分析GaN功率器件的优势、特性、关键技术以及已有技术水平,提出5G时代GaN功率器件的机遇与发展建议。
郭跃伟段磊要志宏
关键词：GAN功率放大器
一种晶体管负载牵引测试夹具
本实用新型公开了一种晶体管负载牵引测试夹具，其特征在于，包括：第一电路板；第一微带线，设置于第一电路板上；栅极供电模块，设置于第一电路板上；栅极供电模块包括第一供电电路、第二供电电路、电阻和第一电感；第一供电电路的输出端...
孔令旭郭跃伟王鹏段磊宋学峰卢啸秦龙
文献传递
GaN基HEMT器件的优化设计被引量：2
2014年
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。
冯嘉鹏赵红东孙渤段磊郭正泽陈洁萌姚奕洋
关键词：场板自热效应
一种晶体管负载牵引测试夹具
本发明公开了一种晶体管负载牵引测试夹具，其特征在于，包括：第一电路板；第一微带线，设置于第一电路板上；栅极供电模块，设置于第一电路板上；栅极供电模块包括第一供电电路、第二供电电路、电阻和第一电感；第一供电电路的输出端与电...
孔令旭郭跃伟王鹏段磊宋学峰卢啸秦龙
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