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武维

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:山西交通职业技术学院信息工程系更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇多量子阱
  • 1篇量子
  • 1篇极化效应
  • 1篇功率
  • 1篇功率密度
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇峰值波长
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇波长

机构

  • 1篇山西交通职业...

作者

  • 1篇梁将
  • 1篇张正宜
  • 1篇武维

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2017
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
激发功率密度和阱层厚度对极化InGaN/GaN多量子阱光致发光性能的影响被引量:2
2017年
用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上生长了具有不同阱层厚度的InGaN/GaN多量子阱结构,研究了阱层厚度和激发功率密度对多量子阱光致发光(PL)性能的影响。结果表明,随着激发功率密度的增加,PL的峰值波长会出现不同程度的蓝移,且阱层越厚,蓝移的越明显。PL的峰值波长随着激发功率密度和阱厚的变化关系可以用光生载流子对极化场的屏蔽效应和带隙填充效应来解释。阱最薄的样品(1.8 nm)由于其极化效应最弱,电致发光谱具有最高的发光强度,但其发光波长较短仅有430 nm。
张正宜梁将武维
关键词:峰值波长极化效应
共1页<1>
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