张志强
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：浙江理工大学机械与自动控制学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- C包覆CoMoO_4复合纳米片阵列材料的制备和赝电容性能的研究被引量：1
- 2017年
- 采用两步水热法,结合高温煅烧工艺,制备了直接生长在泡沫Ni基底上的C包覆CoMoO_4复合纳米片阵列材料。利用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和场发射扫描电子显微镜(SEM)分析C包覆CoMoO_4的结构特征,结果表明C成功包覆在多孔交联CoMoO_4纳米片的表面。通过循环伏安法和恒流充放电法分析C包覆CoMoO_4的电化学性能,发现C包覆显著提高CoMoO_4的比电容和循环性能。在1A/g的电流密度下循环2000次,最高比电容达1864.79F/g,比电容保持率86.65%。比电容和循环性能的改善是由于碳包覆提高了CoMoO_4电导率和结构稳定性,促进了赝电容反应。
- 戎泽袁永锋郭绍义林金鑫张志强
- 关键词：超级电容器碳包覆
- 聚吡咯包覆CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的制备及其赝电容性能研究被引量：2
- 2017年
- 采用水热法结合电化学聚合技术在泡沫镍上生长聚吡咯包覆的CoMoO_4纳米片自组装多孔柱阵列。通过XRD、FTIR和SEM分析产物的组成与结构,发现产物呈现聚吡咯包覆CoMoO_4纳米片自组装多孔柱阵列的复合结构。通过恒流充放电、循环伏安法研究CoMoO_4的超电容性能,在电流密度为100mA·g^(-1)的条件下,包覆CoMoO_4的比电容为1205F·g^(-1);在200mA·g^(-1)充放电循环3000次后,比电容值仍保持为初始值的85.7%,是未包覆CoMoO_4材料的1.6倍,聚吡咯包覆CoMoO_4纳米片自组装多孔柱阵列具有良好的赝电容特性和循环稳定性。
- 张志强袁永锋郭绍义林金鑫戎泽
- 关键词：聚吡咯电化学聚合超级电容器
- 水热法-高温煅烧处理制备Ni_xCo_(1-x)MoO_4纳米片阵列/泡沫Ni复合材料及其赝电容性能研究被引量：2
- 2016年
- 采用水热法-高温煅烧处理制备Ni_xCo_(1-x)MoO_4(x=0、0.25、0.50、0.75和1.00)纳米片阵列,利用XRD、FESEM、循环伏安法和恒流充放电测试方法,分析其晶体结构、微观形貌和赝电容性能。研究表明:Ni_xCo_(1-x)MoO_4纳米片阵列的晶体结构和微观形貌与Ni的相对含量有关;其中,晶体结构为NiMoO_4物相的Ni_(0.50)Co_(0.50)MoO_4纳米片阵列显示出高的比电容、增强的循环稳定性和高倍率放电能力,是一种性能优异的赝电容材料。
- 余大江郭绍义袁永锋张志强
- 关键词：超级电容器水热法
- 全文增补中
