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刘冰燕

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低电压
  • 1篇低功耗
  • 1篇电压
  • 1篇阈值
  • 1篇功耗
  • 1篇多阈值
  • 1篇SRAM
  • 1篇超低电压

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇黑勇
  • 1篇刘冰燕

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应用于超低电压下的SRAM存储单元设计被引量：1
2016年
提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130nm工艺仿真结果显示,提出的8T结构能够在最低0.3V下正常操作,单元的读写噪声容限,保持噪声容限,相比传统6管结构显著提升,并且低电压下静态功耗方面均比传统6管结构降低60%~70%.
刘冰燕蔡江铮黑勇
关键词：低电压低功耗多阈值
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