刘云珍
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：长沙理工大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：湖南省教育厅科研基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程更多>>
- 不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响被引量：2
- 2016年
- 采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的Zn O(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响。制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力。随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3Ωcm。不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90%,薄膜具有优异的光学特性。
- 龚丽刘云珍
- 关键词：ZNO透明导电薄膜生长温度磁控溅射法
- GZO薄膜热稳定性及其用于染料敏化太阳能电池透明电极的研究
- 通常情况下,电池器件需要在很高的温度下制备,因此用于电池制备的透明导电氧化物（TCO）必须是具有高温稳定性的材料。本论文[1]中,我们选择Ga掺杂ZnO（GZO）作为透明导电层制备染料敏化太阳能电池（DSSC）,研究其热...
- 龚丽刘云珍顾修全吕建国张杰叶志镇陈召勇李灵均
- 关键词：染料敏化透明电极热稳定性
- 文献传递
- 不同生长条件对Sn掺杂ZnO薄膜电学性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO透明导电薄膜,用Hall效应测试仪表征了薄膜的电学性能,研究了不同生长条件对薄膜电学性能的影响。研究结果表明,随着Ar/O2比的增加,电阻率先减小后增大,在Ar/O2为6时,取得最低的电阻率为2.02×10-2Ω·cm;随着溅射功率的增大,薄膜电阻率急剧减小,在140 W时获得最低电阻率为2.89×10-2Ω·cm;在溅射时间11min时得到了最低的薄膜电阻率,为1.45×10-2Ω·cm。随着压强的增大,电阻率先急剧减小,后缓慢增大,当溅射压强为0.8Pa时,薄膜电阻率具有最小值,为2.17×10-2Ω·cm。当衬底温度在400~500℃范围内变化时,在475℃时取得最佳电学性能,电阻率为2.26×10-2Ω·cm。在整个实验条件下,当Ar/O2为8、溅射功率为180W、衬底温度为450℃、溅射压强为0.5Pa、溅射时间为11min时,薄膜具有最佳的导电性能,电阻率为1.45×10-2Ω·cm。
- 龚丽刘云珍吕建国叶志镇
- 关键词：ZNO透明导电薄膜电学性能磁控溅射
