宋志勇
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 硅掺杂对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格磁输运的影响
- 2020年
- 针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量,应用霍尔效应原理,计算各温度下样品的迁移率和载流子浓度。在低温下,观察到了薄膜的弱局域效应(weak localization, WL),且发现硅的掺杂使其有更好的WL稳定性。并用三维Kawabata模型来拟合弱局域效应,得到相位相干长度的值,解释了掺杂n型硅对于InAs/GaSb二类超晶格量子局域化的有利性,从而为红外探测器件的开发提供了有价值的参考。
- 应志超宋志勇宋志勇陈爱英林铁
- 关键词：INAS/GASB超晶格
- InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性被引量：1
- 2017年
- 在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.
- 张豫徽宋志勇陈平平林铁田丰康亭亭
- 关键词：锑化铟磁阻效应
- InN超导的磁输运性质研究
- InN是一种具有超导特性的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,将第三主族氮化物中的半导体与InN的超导特性结合并实现片上集成具有重要的应用前景。但是,InN材料在生长过程中容易出现相分离,形成In/InO的超导相,使得InN本征超导的研...
- 宋志勇
- 关键词：INN超导体磁通动力学
- 文献传递
- InN超导中的磁通钉扎性质研究
- 2021年
- InN是三五族半导体中唯一具有超导性质的材料,在超导体/半导体混合器件领域具有重要的应用价值。运用磁输运的方法,系统性地研究了磁通钉扎对InN超导性质的影响。通过对超导转变过程中的Ⅰ-Ⅴ曲线进行标度,发现InN超导中存在涡旋液体态到涡旋玻璃态的相变。在涡旋液体态,用热激活磁通蠕动模型分析了磁通运动的机制,发现InN超导中存在单磁通钉扎到集体钉扎的转变;在涡旋玻璃态,首先对临界电流与温度的关系进行了分析,确定了InN超导中主要的磁通钉扎机制:δL钉扎。然后对临界电流与磁场的关系进行了分析,发现临界电流在磁场下的迅速衰减是集体钉扎所导致的结果。最后,基于Dew-Hughes模型,对钉扎力与磁场强度的依赖关系进行了分析,发现InN中的钉扎中心的主要是点钉扎。该研究为提高InN的临界电流密度奠定基础。
- 宋志勇商丽燕商丽燕陈平平褚君浩康亭亭
- 关键词：氮化铟超导磁通动力学临界电流
