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后掺杂Na、K对PI衬底CIGS薄膜太阳电池的影响: 聚酰亚胺衬底上的CIGS太阳电池因其具有高带隙、不衰减、可折叠等特性,成为最有发展潜力的薄膜电池.由于PI衬底上制备CIGS电池衬底沉积温度不能超过450℃,造成晶粒细碎开压较低的现象.研究发现玻璃中含有的碱金属元素能够...; 秦晓彤张毅孙云刘玮李晓东李祖亮程龙陈呈玉刘一鸣周志强何青; 关键词：铜铟镓硒薄膜太阳电池掺杂改性钾元素电学特性; 文献传递

溅射制备Zn(O,S)薄膜及其在CIGS电池中的应用被引量：2: 2017年; 通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中。采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wx AMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究。结果表明,低功率条件下(<80 W),Zn(O,S)薄膜内S/Zn明显降低,带隙减小,所制备的微晶或非晶结构Zn(O,S)薄膜材料中生成闪锌矿结构Zn S(α-Zn S);高溅射功率下(>100 W),薄膜内S/Zn增加并趋于稳定,Zn(O,S)材料结晶性能改善,α-Zn S消失,带隙增加。器件仿真结果表明,低功率条件下,缓冲层与吸收层(AB)界面导带失调值(CBO)增大,空间电荷区(SCR)复合加剧;高功率条件下,器件品质因子升高明显,主要是由于高功率引起的异质结界面类受主缺陷浓度增加。; 范玉李晓东林舒平张毅刘芳芳周志强孙云刘玮; 关键词：射频磁控溅射 CIGS

预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响被引量：1: 2015年; 研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体。高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势。经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%。; 李光旻刘玮林舒平李晓东周志强何青张毅刘芳芳孙云; 关键词：溅射气压粗糙度

恒低温衬底制备CIGS薄膜吸收层的三步法工艺改进: 三步共蒸发法制备CIGS 薄膜太阳电池，是当前制备该电池的主流工艺之一。目前世界纪录的小面积CIGS 薄膜太阳电池就是基于此工艺制备的吸收层。但三步法中的衬底温度有高低两个温度段，对于工业化生产有一升温过程，使得生产周期...; 林舒平刘玮孙云施路李光旻李晓东刘一鸣张毅周志强

热裂解活化硒对CIGS太阳电池开路电压的影响: 2015年; 考察了通过自主研发的高温热裂解辅助硒化装置所产生的高活性硒对CIGS薄膜结构和器件性能的影响。通过调节高温裂解系统的温度可以有效调节不同的硒活性。研究发现,第一台阶HC-Se气氛可以提高CIGS薄膜表面的Ga含量,使得CIGS薄膜内的Ga分布更加平缓,进而提高CIGS薄膜表面禁带宽度。而且HC-Se气氛可以消除CIGS"两相分离"现象。两种因素的共同作用使得CIGS薄膜太阳电池的开路电压提高了34.6%。电池转换效率从6.02%提升至8.76%,增长了45.5%。; 李光旻刘玮林舒平李晓东周志强何青张毅刘芳芳孙云; 关键词：CIGS 开路电压

Zn(O,S)缓冲层的light-soaking效应研究: 本文尝试以以溅射工艺制备Zn(O,S)缓冲层代替传统工艺的CdS层和i-Zn0层，不仅工艺步骤得到简化，并且使整体工艺均在真空环境下进行，以此避免工业化生产中由于CIGS脱离真空环境可能受到的污染，从而提高产品的良率。 ...; 李晓东刘玮秦晓彤李祖亮程龙张毅周志强何青孙云; 关键词：缓冲层; 文献传递

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李晓东