2025年1月19日
星期日
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
潘英
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
华北电力大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
中央高校基本科研业务费专项资金
更多>>
相关领域:
理学
电子电信
更多>>
合作作者
郝建红
华北电力大学
范杰清
华北电力大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
1篇
电子电信
1篇
理学
主题
1篇
电磁
1篇
电磁干扰
1篇
电子器件
1篇
电子设备
1篇
脉冲
1篇
金属
1篇
高斯
1篇
高斯脉冲
机构
2篇
华北电力大学
作者
2篇
潘英
1篇
范杰清
1篇
郝建红
传媒
1篇
河北师范大学...
年份
1篇
2018
1篇
2017
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
随机耦合模型在多种场景下的应用研究
随着电磁环境的日益复杂,高功率微波(High Power Microwave,HPM)作为电磁干扰源已广泛存在于实际工程当中。为了给电子设备提供良好的电磁环境,电子设备外部通常加装有金属屏蔽腔体,以减少外部电磁波对电子设...
潘英
关键词:
电子设备
电磁干扰
文献传递
随机耦合模型在复杂腔体内电子器件损伤概率研究中的应用
被引量:1
2017年
针对高功率微波脉冲参数对复杂腔体内器件损伤概率的影响,以TTL门电路为研究对象,利用随机耦合模型对高斯脉冲干扰下复杂腔体内电子器件的损伤概率进行了分析和预测,重点计算分析了高斯脉冲的脉冲上升沿、脉冲间隔、脉冲幅值及脉冲个数对复杂腔体内电子器件损伤概率的影响.计算结果表明,电子器件的损伤概率随脉冲上升沿、脉冲幅值、脉冲个数的增大而增大,随脉冲间隔的增大而减小.该方法的研究为大规模不规则电子系统中电子器件的电磁兼容、电磁效应评估、电磁防护及电磁加固等工作提供了新的指导.
郝建红
潘英
范杰清
关键词:
电子器件
高斯脉冲
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张