刘梦涵
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AlGaN纳米柱光场强度的计算及其影响机制被引量：1
- 2018年
- 使用时域有限差分法（FDTD）研究了AlGaN纳米柱的光学性质。通过仿真分析了铝组分的变化对纳米柱内外光场强度的影响。结果表明，在固定纳米柱尺寸条件下，纳米柱内部场强随铝组分显著变化，最大相差一倍，外部场强同样强烈依赖于铝组分。研究分析了纳米柱直径和高度对内部电场强度的影响。结果表明，纳米柱的内部场强受直径的影响比受高度的影响更为显著，在450nm波长下，直径大于120nm的纳米柱才能形成柱内模式分布。此外，在AlGaN纳米柱结构基础上引入铝金属薄膜，研究了不同波长下铝薄膜厚度对纳米柱电场分布的影响。研究发现，随着铝薄膜厚度的增加，在280和380nm波长下，纳米柱内外电场强度逐渐降低，而在450nm波长下，纳米柱内外场强增强倍数先逐渐减小再缓慢增大。
- 高鹏方华杰蒋府龙刘梦涵徐儒周婧张熬陈鹏刘斌修向前谢自立韩平施毅张荣郑有炓
- 关键词：电场强度
- InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响
- 2017年
- 主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才开始缓慢下降,并且两者呈现不同的下降规律。通过与模拟结果对比发现,InGaN基LED的效率在下降开始阶段与俄歇复合引起的效率下降规律类似。以上实验结果表明,InGaN基LED器件中存在极化电场,且该极化电场会对LED器件的效率衰减产生促进作用。
- 刘亚莹蒋府龙刘梦涵方华杰高鹏陈鹏施毅张荣郑有炓
- 关键词：INGAN电致发光极化效应
- GaN微盘模式分布与强度研究
- 2018年
- 使用时域有限差分方法系统地研究了直径从2μm到50μm的GaN基微盘在蓝光波段的模式强度和分布。设计了一种可以比拟微盘内高密度激子分布的偶极子排布方式,使其能够激发盘内所有光学模式。研究了盘内最大激发强度和有效共振频率数量随微盘直径的变化关系,揭示了盘内模式间的竞争关系,并给出了微盘内三种典型的激发后的光场分布。
- 方华杰高鹏蒋府龙刘梦涵徐儒周婧张熬陈鹏刘斌修向前谢自立韩平施毅张荣郑有炓
- 关键词：回音壁模式时域有限差分法光学微腔氮化镓
