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兰飞飞

作品数:5 被引量:5H指数:1
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇纳米材料
  • 3篇ZNO
  • 3篇掺杂
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇铜掺杂
  • 2篇微纳米材料
  • 2篇管式
  • 2篇管式炉
  • 2篇保温时间
  • 2篇CVD法
  • 2篇超声
  • 2篇超声清洗
  • 2篇纯铜
  • 1篇导体
  • 1篇氧化锌
  • 1篇微纳米结构
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光

机构

  • 5篇哈尔滨工业大...

作者

  • 5篇兰飞飞
  • 3篇王敦博
  • 2篇王金忠
  • 1篇于清江
  • 1篇矫淑杰
  • 1篇颜源
  • 1篇黎倩
  • 1篇高世勇
  • 1篇王金忠

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 2篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
ZnO微纳米材料CVD法制备及掺杂究
氧化锌由于自身的结构和性能在光电领域具有潜在的应用价值。同时通过过渡金属、稀土元素掺杂的氧化锌是一种优良的稀磁半导体材料。因此对于本征及掺杂ZnO的制备和研究对于氧化锌在不同领域的应用具有重大的意义。本文主要通过简单的C...
兰飞飞
关键词:CVDXPS
Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征被引量:4
2013年
利用CuO作为前驱体对ZnO进行了Cu掺杂研究,分别在不同温度下获得了ZnO纳米带及有纳米带构成的微米花状结构,对其生长机理进行了分析。并且以Cu片为衬底获得了ZnO的纳米梳以及有纳米梳构成的多层结构ZnO。XRD表明产物中只有ZnO单质相的存在,EDS证明产物中存在Cu元素。ZnO室温下的PL谱表明其UV与深能级发射强度比随Cu掺杂量的增加而变大,说明Cu的掺杂能够降低ZnO的缺陷峰强度。
兰飞飞王金忠王敦博黎倩颜源于清江高世勇矫淑杰
关键词:ZNOCU掺杂光致发光
一种制备铜掺杂氧化锌纳米梳的方法
一种制备铜掺杂氧化锌纳米梳的方法,涉及一种纳米材料的制备方法。所述方法步骤如下:将纯铜基片进行超声处理,然后浸泡在乙醇中待用;将氧化锌粉与碳粉按质量比1∶1经研磨混合均匀放入石英舟中,移入管式炉加热中心区域;将超声清洗过...
王金忠兰飞飞王敦博
文献传递
ZnO微纳米材料CVD法制备及掺杂研究
氧化锌由于自身的结构和性能在光电领域具有潜在的应用价值。同时通过过渡金属、稀土元素掺杂的氧化锌是一种优良的稀磁半导体材料。因此对于本征及掺杂ZnO的制备和研究对于氧化锌在不同领域的应用具有重大的意义。本文主要通过简单的C...
兰飞飞
关键词:氧化锌微纳米材料稀磁半导体
文献传递
一种制备铜掺杂氧化锌纳米梳的方法
一种制备铜掺杂氧化锌纳米梳的方法,涉及一种纳米材料的制备方法。所述方法步骤如下:将纯铜基片进行超声处理,然后浸泡在乙醇中待用;将氧化锌粉与碳粉按质量比1:1经研磨混合均匀放入石英舟中,移入管式炉加热中心区域;将超声清洗过...
王金忠兰飞飞王敦博
文献传递
共1页<1>
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