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李沫

作品数:8 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:理学文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇量子
  • 2篇单分子探测
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇药物
  • 2篇药物合成
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光谱
  • 2篇预后
  • 2篇运载
  • 2篇能量转换
  • 2篇热化学
  • 2篇热蒸发
  • 2篇外接
  • 2篇外接电源
  • 2篇微结构
  • 2篇量子点
  • 2篇量子结构
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管

机构

  • 8篇北京大学

作者

  • 8篇张健
  • 8篇沈波
  • 8篇王平
  • 8篇王新强
  • 8篇盛博文
  • 8篇李沫
  • 2篇王涛
  • 2篇荣新
  • 2篇袁竹君

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种二维通道结构及其制备方法
本发明公开了一种二维通道结构及其制备方法。本发明采用支架支撑隔离层,获得多种二维通道结构,适用材料范围广;各层的间距精确可控,二维通道结构设计约束少,适用众多图案;适合工业化生产,图案精度高且适用于多种工业化生产方法,制...
袁竹君王新强王平盛博文李沫张健沈波
一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法
本发明公开了一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法。本发明的荧光标记载体包括:纳米管内壁、量子结构和纳米管外壁;本发明根据拟运载物的特点设计纳米管结构的尺寸,通过控制生长条件进行精确调控纳米管结构的尺寸;固定温度退火过...
王平王新强孙萧萧盛博文李沫张健沈波
文献传递
一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法
本发明公开了一种面向micro‑LED应用的无损微纳结构的制备方法。本发明通过电子束光刻实现微米或纳米级图形的转移和制备,灵活性强,适用于多种微、纳米器件结构的制备;规避了等离子体刻蚀损伤的引入对材料辐射复合效率的降低作...
王新强李铎沈波王平孙萧萧盛博文李沫张健
文献传递
一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法
本发明公开了一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法。本发明中量子点的纵向尺寸由量子阱的厚度控制,量子点组分由量子阱的组分控制,均匀性高于自组装生长的量子点结构;量子点的横向尺寸,通过选择性热蒸发的方式予以调控,...
王新强王平沈波孙萧萧王涛陈兆营盛博文王钇心荣新李沫张健
一种二维通道结构及其制备方法
本发明公开了一种二维通道结构及其制备方法。本发明采用支架支撑隔离层,获得多种二维通道结构,适用材料范围广;各层的间距精确可控,二维通道结构设计约束少,适用众多图案;适合工业化生产,图案精度高且适用于多种工业化生产方法,制...
袁竹君王新强王平盛博文李沫张健沈波
文献传递
一种面向micro-LED应用的无损微纳结构的制备方法
本发明公开了一种面向micro‑LED应用的无损微纳结构的制备方法。本发明通过电子束光刻实现微米或纳米级图形的转移和制备,灵活性强,适用于多种微、纳米器件结构的制备;规避了等离子体刻蚀损伤的引入对材料辐射复合效率的降低作...
王新强李铎沈波王平孙萧萧盛博文李沫张健
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一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法
本发明公开了一种预后制备量子点的量子点耦合微结构及其制备方法。本发明中量子点的纵向尺寸由量子阱的厚度控制,量子点组分由量子阱的组分控制,均匀性高于自组装生长的量子点结构;量子点的横向尺寸,通过选择性热蒸发的方式予以调控,...
王新强王平沈波孙萧萧王涛陈兆营盛博文王钇心荣新李沫张健
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一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法
本发明公开了一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法。本发明的荧光标记载体包括:纳米管内壁、量子结构和纳米管外壁;本发明根据拟运载物的特点设计纳米管结构的尺寸,通过控制生长条件进行精确调控纳米管结构的尺寸;固定温度退火过...
王平王新强孙萧萧盛博文李沫张健沈波
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共1页<1>
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