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王志成
作品数:
6
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供职机构:
华南师范大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
何苗
华南师范大学
郑树文
华南师范大学
黄波
华南师范大学
朱凝
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作者
6篇
郑树文
6篇
何苗
6篇
王志成
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朱凝
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黄波
年份
2篇
2019
1篇
2018
3篇
2017
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一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法
本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法,将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后;在HVPE设备中翻转衬底,使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙,通过VLS方法在衬底上生长纳米线...
何苗
王志成
黄波
丛海云
郑树文
文献传递
一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法
本发明公开了一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法,包括衬底和P型GaN薄膜层,所述P型GaN薄膜层设置在衬底的上表面,所述P型GaN薄膜层上生长有N型GaN纳米线阵列,所述N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳...
何苗
王志成
郑树文
朱凝
文献传递
一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法
本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法,将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后;在HVPE设备中翻转衬底,使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙,通过VLS方法在衬底上生长纳米线...
何苗
王志成
黄波
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郑树文
一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法
本发明公开了一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法,包括衬底和P型GaN薄膜层,所述P型GaN薄膜层设置在衬底的上表面,所述P型GaN薄膜层上生长有N型GaN纳米线阵列,所述N型GaN纳米线阵列中的N型GaN纳...
何苗
王志成
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一种GaN水平纳米线电子器件制备方法
本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法,直接在衬底上生长水平GaN纳米线,并通过光刻工艺制备方形电极阵列,采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2;通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属...
何苗
王志成
丛海云
郑树文
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一种GaN水平纳米线电子器件制备方法
本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法,直接在衬底上生长水平GaN纳米线,并通过光刻工艺制备方形电极阵列,采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2;通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属...
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王志成
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