王进
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ICPCVD低温生长非晶硅的工艺及光学特性研究
- 2023年
- 文章利用ICPCVD在100℃及以下玻璃和蓝宝石片衬底上生长非晶硅薄膜,并通过调节Ar和SiH4气体流量比例、射频功率及衬底温度等参数,实现低温下高质量非晶硅薄膜的生长。随后用拉曼光谱表征分析研究了衬底温度变化对非晶硅薄膜沉积质量的影响,并计算出衬底温度为100℃时,非晶硅薄膜的结晶分数和微晶尺寸分别为64.4%和4.7 nm。此外还研究了非晶硅薄膜折射率和透过率等光学特性,并计算出薄膜的光学带隙最低为1.68。最后制备了两种a-Si/SiO_(2)/a-Si布拉格反射结构,厚度分别为36/100/41 nm和62/132/60 nm。两种结构在可见光和红外波段分别实现了90.4%和88.9%的最高反射率。
- 王进张伟冷家君韩鹤彬沈文超陆铖灵张学敏
- 关键词：非晶硅薄膜射频功率折射率
- 高深宽比石英结构的NLD刻蚀
- 2017年
- 基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机的原理,研究了Ar和C_4F_8混合气体氛围下,射频(RF)天线功率、偏置电源功率、气压和C4F8体积流量等工艺参数对NLD刻蚀石英的影响,最终获取优化的工艺参数,用于高深宽比石英结构的制备。结果表明,随着RF天线功率的增加,石英刻蚀速率逐渐降低,偏压不断减小;增加偏置电源功率,刻蚀速率及偏压持续增大,刻蚀比不断增大;随着反应压强的增加,偏压变大,而刻蚀速率一直降低;C_4F_8体积流量增加,偏压一直增大,石英刻蚀速率先是快速上升而后逐渐变小。在优化的工艺参数下,刻蚀速率为439 nm/min,深宽比可以达到10∶1。
- 吴亚宁张伟王逸群黄健缪小虎王进金晓盛
- 关键词：石英高深宽比刻蚀
- MOEMS器件的硅微透镜阵列制造工艺
- 2019年
- 开发了一种适于MOEMS器件的基于硅微加工技术的简易的硅微透镜阵列制造工艺。通过光刻胶热熔法与ICPRIE(感应耦合等离子反应离子刻蚀)相结合的方式,实现在硅晶圆上批量生产微透镜阵列。通过多层涂胶的方式以及以2.5℃/min的速率从115℃升温至130℃的热熔工艺,获得口径为2.41 mm、矢高99.9μm的光刻胶微透镜阵列。通过控制ICPRIE的胶与硅的刻蚀选择比达到约1∶1,将光刻胶曲率准确地转移到硅晶圆上。
- 王进
- 关键词：微透镜阵列MOEMS
