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余画

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇载气
  • 2篇氧气
  • 2篇气相沉积
  • 2篇前体
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化钼
  • 2篇晶圆
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇二硫化钼
  • 1篇多温区
  • 1篇热元件
  • 1篇温度控制
  • 1篇温度控制装置
  • 1篇温区
  • 1篇控制装置
  • 1篇加热元件
  • 1篇范德瓦尔斯

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇时东霞
  • 3篇张广宇
  • 3篇杨蓉
  • 3篇余画

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法
本发明涉及晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法。一种通过化学气相沉积来制备单层MoS<Sub>2</Sub>膜的方法包括：通过第一通道将第一载气引导至衬底，所述第一通道中设置有固态S前体；通过第二通道将第二载气引导至所述衬底...
张广宇余画杨蓉时东霞
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晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法
本发明涉及晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法。一种通过化学气相沉积来制备单层MoS<Sub>2</Sub>膜的方法包括：通过第一通道将第一载气引导至衬底，所述第一通道中设置有固态S前体；通过第二通道将第二载气引导至所述衬底...
张广宇余画杨蓉时东霞
二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统
本实用新型涉及二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统。常规的二维材料生长系统价格昂贵，并且功能性单一。本实用新型的二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统包括管体和围绕该管体的一部分的多温区恒温炉，还可以包括设置在多温区恒温炉...
张广宇杨蓉时东霞李烁辉余画
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