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姜姝

作品数:17 被引量:8H指数:2
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会科研基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇靶材
  • 6篇晶体管
  • 6篇薄膜晶体
  • 6篇薄膜晶体管
  • 5篇氧化物
  • 4篇水蒸气
  • 4篇纳米
  • 4篇结瘤
  • 2篇电极
  • 2篇氧化物陶瓷
  • 2篇有机溶剂
  • 2篇栅电极
  • 2篇溶剂
  • 2篇溶质
  • 2篇烧结炉
  • 2篇湿法
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷靶材
  • 2篇退火
  • 2篇坯体

机构

  • 17篇上海大学
  • 1篇微电子有限公...
  • 1篇广西晶联光电...

作者

  • 17篇李喜峰
  • 17篇姜姝
  • 12篇陈龙龙
  • 11篇张建华
  • 11篇杨祥
  • 3篇许云龙
  • 2篇彭聪

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 7篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种球磨制备纳米级粉体的方法
本发明涉及纳米粉体材料技术领域,提供了一种球磨制备纳米级粉体的方法,本发明在球磨过程中使软硬程度不同的磨球对原料进行研磨和搅拌,能明显降低反应活化能、细化晶粒、增强粉体活性、提高烧结能力,最终把微米级的原料粉体粉碎为纳米...
李喜峰袁雁妤彭聪张建华陈龙龙姜姝
文献传递
薄膜晶体管的制备方法及具有导电孤岛的薄膜晶体管
本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法,制备方法包括:设置基板,在基板上制备栅极薄膜;对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶,形成栅电极;在栅电极上制备绝缘层,并在绝缘层上制备源漏电极层;对源漏电极层依次进行涂...
李喜峰杨祥岳致富姜姝许云龙陈龙龙张建华
一种靶材的制备方法
本发明提供了一种靶材的制备方法,其步骤包括依次制备粉末氧化物、球磨料、坯料、靶材坯体、靶材成品;其中靶材原料通过冷等静压成形得到靶材坯体,将靶材坯体放在氧气和空气的混合气氛下进行阶段升温烧结,烧结时混合气氛中的氮气和氧气...
李喜峰杨祥姜姝潘成超蒋文亚李阿杰谈艳阳
文献传递
金属氧化物TFT阈值对LCD显示屏可靠性的影响被引量:4
2018年
TFT的器件特性是影响氧化物TFT驱动的LCD显示屏良率的关键因素。本文研究了氧化物TFT的关键特性参数(阈值,稳定性)对窄边框LCD显示屏的良率和可靠性的影响。氧化物TFT阈值过负,将会导致TFT无法正常关断,而使显示屏的外围移位寄存器(VSR)电路失效。另外,在显示区域用于像素驱动的氧化物TFT的高温和背光照射下阈值持续负向漂移,最终会导致显示区域的驱动TFT漏电流过大,从而使显示屏出现串扰和残影不良。
楼均辉姜姝吴天一符鞠建夏兴达何泽尚迟宵应变李喜峰
关键词:阈值LCD可靠性
一种烧结装置及一种氧化物陶瓷靶材的制备方法
本发明涉及靶材制备技术领域,提供了一种烧结装置及一种氧化物陶瓷靶材的制备方法。本发明提供的烧结装置包括烧结炉炉体和设置在烧结炉炉腔内的分流隔片,在烧结过程中通过分流隔片向炉腔内输送氧气,能够减小炉腔温差,控制氧气流的层状...
李喜峰于正航张建华陈龙龙姜姝
一种湿法制备薄膜方法
本发明公开一种湿法制备薄膜方法,包括:将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中,得到前驱体溶液;根据所述前驱体溶液制备初始薄膜;对所述初始薄膜进行前期退火;前期退火完成后进行指定次数循环的水蒸气热处理,获得成品薄膜。采用本发明中...
李喜峰姜姝杨祥陈龙龙张建华
一种球磨制备纳米级粉体的方法
本发明涉及纳米粉体材料技术领域,提供了一种球磨制备纳米级粉体的方法,本发明在球磨过程中使软硬程度不同的磨球对原料进行研磨和搅拌,能明显降低反应活化能、细化晶粒、增强粉体活性、提高烧结能力,最终把微米级的原料粉体粉碎为纳米...
李喜峰袁雁妤彭聪张建华陈龙龙姜姝
文献传递
一种靶材的制备方法
本发明提供了一种靶材的制备方法,其步骤包括依次制备粉末氧化物、球磨料、坯料、靶材坯体、靶材成品;其中靶材原料通过冷等静压成形得到靶材坯体,将靶材坯体放在氧气和空气的混合气氛下进行阶段升温烧结,烧结时混合气氛中的氮气和氧气...
李喜峰杨祥姜姝潘成超蒋文亚李阿杰谈艳阳
一种水蒸气氧化退火系统
本发明公开一种水蒸气氧化退火系统。所述退火系统包括:退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管,其中,所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接,所述比例阀设置在所述气体导管上;所述水氧检测...
李喜峰姜姝杨祥陈龙龙张建华
文献传递
烧结气氛压力对高性能TFT用ITO靶材结瘤性能的研究被引量:2
2018年
通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力略高于标准大气压(0.105 MPa)工艺条件下制备的ITO靶材表面的结瘤更少。磁控溅射制备的薄膜均处于非晶状态,薄膜的表面粗糙度由0.35nm降低至0.28nm,薄膜的平均光学透过率均高于84%。改善工艺后的ITO靶材制备的ITO薄膜刻蚀残留非常少。在优化的工艺条件下,靶材质量得到有效改善,透明导电氧化物薄膜性能得到提高。
黄誓成杨祥陆映东姜姝李喜峰张雪凤杜海柱
关键词:ITO靶材ITO薄膜
共2页<12>
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