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周勋

作品数：14 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
发文基金：中国电子科技集团公司创新基金更多>>
相关领域：机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇焦平面
  • 6篇探测器
  • 5篇焦平面探测器
  • 4篇像元
  • 3篇光电
  • 3篇红外
  • 2篇单光子
  • 2篇倒装
  • 2篇对焦
  • 2篇雪崩
  • 2篇制冷
  • 2篇凸点
  • 2篇热电制冷
  • 2篇铟柱
  • 2篇外量子效率
  • 2篇微管
  • 2篇限高
  • 2篇芯片
  • 2篇量子效率
  • 2篇矩形孔

机构

  • 14篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 14篇周勋
  • 9篇高新江
  • 7篇陈扬
  • 5篇罗木昌
  • 4篇卢杰
  • 3篇唐艳
  • 3篇王玺
  • 2篇赵文伯
  • 2篇崔大健
  • 1篇季万涛
  • 1篇兰逸君
  • 1篇胡小燕

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
适用于热电制冷型InGaAs短波红外相机的机壳
本发明公开一种适用于热电制冷型InGaAs短波红外相机的机壳，包括腔体以及与腔体两端连接的前、后盖板；腔体包括四个侧面以及垂直连接于四个侧面的隔板，四个侧面的外周边均匀设置有散热装置，隔板将腔体分为前舱和后舱，前盖板与腔...
周勋卢杰高新江黎晓刚
文献传递
一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法
本发明涉及半导体混合集成芯片制造技术，特别涉及一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法，所述结构包括ROIC芯片和PDA芯片，所述PDA芯片上设置有In凸点阵列，所述ROIC芯片上设置有金属微管，所述每个微管结...
陈扬柳聪高新江莫才平张圆圆周勋董绪丰唐艳田坤
文献传递
p‑i‑n<Sup>—</Sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器
本发明提供一种p‑i‑n<Sup>‑</Sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器，包括由上向下依次设置的p‑GaN上接触层、i‑GaN雪崩倍增层、n<Sup>‑</Sup>‑GaN空穴注入层和n‑AlGaN下接触层，其中所述...
周勋李艳炯申志辉王玺叶嗣荣罗木昌
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适用于热电制冷型InGaAs短波红外相机的机壳
本发明公开一种适用于热电制冷型InGaAs短波红外相机的机壳，包括腔体以及与腔体两端连接的前、后盖板；腔体包括四个侧面以及垂直连接于四个侧面的隔板，四个侧面的外周边均匀设置有散热装置，隔板将腔体分为前舱和后舱，前盖板与腔...
周勋卢杰高新江黎晓刚
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一种用于焦平面器件减薄抛光的限高保护夹具及方法
本发明提供一种用于焦平面器件减薄抛光的限高保护夹具及方法，夹具由玻璃载板和被若干分割缝分割成至少两部分的板体拼接组成，板体上设有用于放置并夹紧焦平面器件的矩形孔，所述板体的硬度比焦平面器件上层的硬度大，所述板体的化学稳定...
张圆圆赵文伯莫才平高新江陈扬迟殿鑫黄玉兰张承周勋
一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法
本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法；所述探测器包括探测器阵列芯片和CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片通过铟柱连接CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片的像元区由中心向四周依次为...
樊鹏高新江崔大健周勋陈扬申志辉
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一种混成式焦平面倒装集成用凸点结构及其制作方法
本发明涉及半导体混合集成芯片制造技术，特别涉及一种混成式焦平面倒装集成用凸点结构及其制作方法，所述结构包括ROIC芯片和PDA芯片，所述PDA芯片上设置有In凸点阵列，所述ROIC芯片上设置有金属微管，所述每个微管结构插...
陈扬柳聪高新江莫才平张圆圆周勋董绪丰唐艳田坤
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紫外线指数监测模块
本发明公开一种紫外线指数监测模块，包括探测器芯片及信号处理电路，所述探测器芯片用于将紫外辐射光电转换为光电流信号，所述信号处理电路用于对转换之后的光电流信号进行转换处理以得到紫外线指数；所述信号处理电路包括低噪声跨阻放大...
周勋罗木昌申志辉卢杰龙维刚
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紫外雪崩二极管测试装置
一种紫外雪崩二极管测试装置，其结构为：所述测试装置由光源、导轨、光学组件、夹具和壳体组成；光源、光学组件和夹具顺次设置于导轨上，且光源、光学组件和夹具均与导轨滑动连接；壳体将光源、导轨、光学组件和夹具包裹在内；待测件设置...
申志辉罗木昌周勋龙维刚
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p‑i‑n&lt;sup&gt;—&lt;/sup&gt;‑n型GaN单光子雪崩探测器
本发明提供一种p‑i‑n<Sup>‑</Sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器，包括由上向下依次设置的p‑GaN上接触层、i‑GaN雪崩倍增层、n<Sup>‑</Sup>‑GaN空穴注入层和n‑AlGaN下接触层，其中所述...
周勋李艳炯申志辉王玺叶嗣荣罗木昌
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